メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット)[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
適用中のフィルタ:
なし
  1. IC (556,854)
        1. 専用電圧検出用IC (0)
      1. RFアンプ (0)

購入する 表示件数:
テキサス・インスツルメンツ EPROM bq2022A 1K-Bit Serial EPROM with SDQ Interface BQ2022Aシリーズ 量産体制 SOT-23-3 表面実装 0.95mm 3 - 1024bit -20Cel 70Cel
テキサス・インスツルメンツ EPROM bq2022A 1K-Bit Serial EPROM with SDQ Interface BQ2022Aシリーズ 量産体制 SOT-23-3 表面実装 0.95mm 3 - 1024bit -20Cel 70Cel
テキサス・インスツルメンツ EPROM bq2022A 1K-Bit Serial EPROM with SDQ Interface BQ2022Aシリーズ 量産体制 TO-92-3 基板挿入 1.27mm 3 - 1024bit -20Cel 70Cel
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ABシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ABシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ADシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ADシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ABシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ABシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ADシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ADシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230Yシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel