メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット)[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
機能種別
消費電力[Max] (W)
スタンバイ電流[Max] (A)
動的消費電流[Max] (A)
アドレスアクセスタイム[Max] (s)
クロック周波数[Max] (Hz)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
適用中のフィルタ:
なし

購入する 表示件数:
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ABシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit 0Cel 70Cel その他 10mA 75mA 100ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ABシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit -40Cel 85Cel その他 10mA 85mA 100ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ADシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit 0Cel 70Cel その他 10mA 75mA 100ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 16K Nonvolatile SRAM DS1220ADシリーズ 量産体制 24 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 24 - 16kbit 2kword 8bit -40Cel 85Cel その他 10mA 85mA 100ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ABシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit 0Cel 70Cel その他 10mA 75mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ABシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit -40Cel 85Cel その他 10mA 85mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ADシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit 0Cel 70Cel その他 10mA 75mA 70ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 64K Nonvolatile SRAM DS1225ADシリーズ 量産体制 28 720 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 64kbit 8kword 8bit -40Cel 85Cel その他 10mA 85mA 70ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230ABシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.75V 5V 5.25V
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 250microA 50mA 100ns 3V 3.3V 3.6V
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 250microA 50mA 100ns 3V 3.3V 3.6V
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 250microA 50mA 100ns 3V 3.3V 3.6V
マキシム
SRAM 3.3V 256K Nonvolatile SRAM DS1230Wシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 250microA 50mA 100ns 3V 3.3V 3.6V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230Yシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230Yシリーズ 量産体制 28 740 EDIP 基板挿入 2.29mm 2.79mm 28 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230Yシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit 0Cel 70Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.5V 5V 5.5V
マキシム
SRAM 256K Nonvolatile SRAM DS1230Yシリーズ 量産体制 34 PowerCap 表面実装 1.1938mm 1.27mm 1.3462mm 34 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel その他 600microA 85mA 70ns 4.5V 5V 5.5V