メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
メモリ容量(ビット)[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
定格電源電圧[Min] (V)
定格電源電圧[Max] (V)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
動作電源電流[Typ] (A)
動作電源電流[Max] (A)
適用中のフィルタ:
なし
  1. IC (556,854)
        1. 専用電圧検出用IC (0)
      1. RFアンプ (0)

購入する 表示件数:
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(128K x 8) 量産体制 FPT-48P-M25 表面実装 1Mbit 128kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) MB85R1002 量産体制 BGA-48P-M23 表面実装 1Mbit 64kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) MB85R1002 量産体制 FPT-48P-M25 表面実装 1Mbit 64kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 2Mビット(256K x 8) 量産体制 FPT-48P-M25(TSOP(1)-48) 表面実装 2Mbit 256kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 2Mビット(128K x 16) 量産体制 FPT-48P-M25 表面実装 2Mbit 128kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M17(SOP-28) 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M17(SOP-28) 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M19(TSOP(1)-28) 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ ASSP 4ポートDDC搭載EDID用メモリLSI MB85RF402 廃止品 FPT-16P-M08 表面実装 2048bit 256word 8bit -20Cel 85Cel 7V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ ASSP 4ポートDDC搭載EDID用メモリLSI MB85RF402 廃止品 FPT-16P-M08 表面実装 2048bit 256word 8bit -20Cel 85Cel 7V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビットSPI MB85RS256 量産体制 FPT-8P-M02(SOP-8) 表面実装 256kbit 32kword 8bit -20Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビットSPI MB85RS256 量産体制 FPT-8P-M02(SOP-8) 表面実装 256kbit 32kword 8bit -20Cel 85Cel -0.5V 4V