メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
メモリ容量(ビット)[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
メモリ構成
ROMのアクセスタイム[Max] (s)
RAMのアクセスタイム[Max] (s)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Max] (V)
バンク構成
適用中のフィルタ:
なし
  1. IC (556,854)
        1. 専用電圧検出用IC (0)
      1. RFアンプ (0)

購入する 表示件数:
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit (two 64Mbit,x16,FlexibleROM) 3V Supply,Multiple Memory Product M27W1282 量産体制 SO44 表面実装 128Mbit 64Mword 16bit 0Cel 70Cel 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit (two 64Mbit,x16,FlexibleROM) 3V Supply,Multiple Memory Product M27W1282 量産体制 SO44 表面実装 128Mbit 64Mword 16bit 0Cel 70Cel 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 TSOP56 14x20mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit 0Cel 70Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 TSOP56 14x20mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit -40Cel 85Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 TBGA64 10x13mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit 0Cel 70Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 TBGA64 10x13mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit -40Cel 85Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 LFBGA88 8x10mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit 0Cel 70Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 128Mbit(two 64Mbit,x8/x16,Uniform Block,Flash Memories) 3V Supply,Multiple Memory Product M30LW128D 事前準備 LFBGA88 8x10mm 表面実装 128Mbit 64Mword 8bit -40Cel 85Cel Flash 2.7V 3.6V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232B 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232B 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232B 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 2Mbit(128Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR232B 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 4Mbit(256Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR432A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 4Mbit(256Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR432A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 4Mbit(256Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR432A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V
STマイクロエレクトロニクス
複合メモリ 32Mbit(2Mbx16,Dual Bank,Page) Flash Memory and 4Mbit(256Kx16) SRAM,Multiple Memory Product M36DR432A 量産体制 LFBGA66 表面実装 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel Flash 1.65V 2.2V