メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
定格電源電圧
電源電圧の種類
標準内部ゲート遅延時間[Typ] (s)
マクロ
プロセス技術
配線層数[Max]
負荷駆動能力
適用中のフィルタ:
なし
  1. IC (556,854)
        1. 専用電圧検出用IC (0)
      1. RFアンプ (0)

購入する 表示件数:
マキシム
エンベデッドアレイ DeepCover Secure Authenticator with SHA-256 Coprocessor and 1-Wire Master Function DS2465シリーズ 量産体制 TSOC-6
表面実装 1.27mm 6 - 3.3V
マキシム
エンベデッドアレイ DeepCover Secure Authenticator with SHA-256 Coprocessor and 1-Wire Master Function DS2465シリーズ 量産体制 TSOC-6
表面実装 1.27mm 6 - 3.3V
NXPセミコンダクターズ
エンベデッドアレイ Smart Development Tools Embedded SDK for DSP56800E,Rev 2.0E 事前準備 表面実装
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
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エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
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エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
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エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA