メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間電圧[Max] (V)
飽和ドレイン電流[Min] (A)
飽和ドレイン電流[Typ] (A)
飽和ドレイン電流[Max] (A)
相互コンダクタンス[Typ] (S)
ピンチオフ電圧[Min] (V)
ピンチオフ電圧[Typ] (V)
ピンチオフ電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間降伏電圧[Min] (V)
1dB利得圧縮時出力電力[Typ] (dBm)
1dB利得圧縮時利得[Min] (dB)
1dB利得圧縮時利得[Typ] (dB)
熱抵抗[Typ] (Cel/W)
熱抵抗[Max] (Cel/W)
電力付加効率[Typ] (%)
適用中のフィルタ:
なし

購入する 表示件数:
マキシム
GaAs FET Low-Noise Bias Supply in uMAX with Power-OK for GaAsFET PA MAX881Rシリーズ 量産体制 uMAX-10 表面実装 0.5mm 10 -
三洋半導体
GaAs FET C to Xバンド局部発振/増幅回路 廃止品 CP4 表面実装 45mV 34mA -5V 200mCel/W -55Cel/W 150%
東芝 GaAs FET GaAsNチャネルシングルゲート変調ドープ形トランジスタ 廃止品 2-2K1C 表面実装 15mA 40mA 80mA -0.8V -2V 18dB 21.5dB
東芝 GaAs FET GaAsNチャネルシングルゲート変調ドープ形トランジスタ 廃止品 2-2K1C 表面実装 40mA 55mA 80mA -0.8V -2V 17dB 19.5dB
東芝 GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 廃止品 2-4F1A 基板挿入 10V 20mA 45mA -2.5V -4V
東芝 GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 廃止品 2-3J1A 表面実装 10V 20mA 45mA -2.5V -4V
三洋半導体
GaAs FET UHFアンプ、ミキサ用GaAaデュアルゲートMES FET 廃止品 CP4 表面実装 13V 8.5mA 40mA -3.5V
東芝 GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-3J1A 表面実装
東芝 GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-2K1B 表面実装
東芝 GaAs FET GaAs NチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-2K1B 表面実装
Broadcom
GaAs FET High Linearity GaAs FET Mixer IAM-92516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 9dBm
Broadcom
GaAs FET High Linearity GaAs FET Mixer IAM-92516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 9dBm
Broadcom
GaAs FET High Linearity GaAs FET Mixer IAM-92516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 9dBm
Broadcom
GaAs FET High Linearity Integrated GaAs Mixer IAM-93516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 19.3dBm 39Cel/W
Broadcom
GaAs FET High Linearity Integrated GaAs Mixer IAM-93516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 19.3dBm 39Cel/W
Broadcom
GaAs FET High Linearity Integrated GaAs Mixer IAM-93516 量産体制 LPCC 3x3 表面実装 19.3dBm 39Cel/W
三洋半導体
GaAs FET C to Kuバンド局部発振/増幅回路 廃止品 CP4 表面実装 6V 30mA 45mA 65mA -5V