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MOSFET

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NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
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メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Max] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Max] (Ohm)
駆動電圧4[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗5[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗5[Max] (Ohm)
駆動電圧5[Typ] (V)
適用中のフィルタ
なし

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
MOSFET Power MOSFET, 100 V, 8 Ohm, 270 mA, Single N-Channel 量産体制 CPH3/SC-59/SOT-23/TO-236 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 270mA 0.6W 1.2V 2.6V 100V 1microA 6Ohm 8Ohm 10V 6.8Ohm 9.8Ohm 4V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET -100V, 18ohm, -170mA, Single P-Channel 量産体制 CPH3/SC-59/SOT-23/TO-236 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -170mA 0.6W -1.2V -2.6V -100V -1microA 12.5Ohm 18Ohm -10V 14Ohm 21Ohm -4V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92 + Forming 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AN 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
Nexperia
MOSFET 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET 量産体制 SOT23/TO-236AB 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.83W 1V 2.5V 60V 1microA 2.8Ohm 5Ohm 10V 3.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 7.5Ohm 10V 1.7Ohm 7.5Ohm 5V
WUXI NCE POWER
MOSFET NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.115A 0.2W 1V 2.5V 60V 1microA 1.1Ohm 2Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 5V
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 TO-263AB 2.9mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.5W 1.5V 2.5V 60V 1.6Ohm 3Ohm 10V 2Ohm 4Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 7.5Ohm 10V 1.7Ohm 7.5Ohm 5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 340mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
DIODES
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.89mm 0.915mm 1.03mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 210mA 370mW 1V 2.5V 60V 1microA 2.4Ohm 5Ohm 10V 3.2Ohm 7.5Ohm 5V
DIODES
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.89mm 0.915mm 1.03mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 210mA 370mW 1V 2.5V 60V 1microA 2.4Ohm 5Ohm 10V 3.2Ohm 7.5Ohm 5V
WUXI NCE POWER
MOSFET NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.115A 0.2W 1V 2.5V 60V 1microA 2.1Ohm 3Ohm 10V 2.3Ohm 3.5Ohm 5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 340mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
DIODES
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.89mm 0.915mm 1.03mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 220mA 370mW 1.2V 2V 60V 1microA 3Ohm 5Ohm 10V 3.5Ohm 6Ohm 5V
DIODES
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.89mm 0.915mm 1.03mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 220mA 370mW 1.2V 2V 60V 1microA 3Ohm 5Ohm 10V 3.5Ohm 6Ohm 5V
Lite-On Semiconductor
MOSFET N-Channel 60 V MOSFET 量産体制 SOT23S 2.895mm 1.4mm 1.145mm 表面実装 0.85mm 0.95mm 1.05mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.115A 0.225W 1V 2V 60V 1microA 2.5Ohm 7.5Ohm 10V 3Ohm 7.5Ohm 5V