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エンベデッドアレイ

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メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
定格電源電圧
電源電圧の種類
標準内部ゲート遅延時間[Typ] (s)
マクロ
プロセス技術
配線層数[Min]
配線層数[Max]
負荷駆動能力
適用中のフィルタ
なし

購入する 表示件数:
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ DeepCover Secure Authenticator with SHA-256 Coprocessor and 1-Wire Master Function DS2465シリーズ 量産体制 TSOC-6 3.94mm 3.76mm 表面実装 1.27mm 6 - 3.3V
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ DeepCover Secure Authenticator with SHA-256 Coprocessor and 1-Wire Master Function DS2465シリーズ 量産体制 TSOC-6 3.94mm 3.76mm 表面実装 1.27mm 6 - 3.3V
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ 量産体制 TDFN 3mm 3mm 0.725mm 表面実装 0.95mm 6 - 2.97 to 3.63V BiCMOS 1
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ 量産体制 TDFN 3mm 3mm 0.725mm 表面実装 0.95mm 6 - 2.97 to 3.63V BiCMOS 1
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ DeepCover Secure Authenticator with 1-Wire SHA-256 and 2Kb User EEPROM DS28E22シリーズ 量産体制 6 TDFN-EP 3mm 3mm 0.725mm 表面実装 0.95mm 6 -
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ 量産体制 TDFN 3mm 3mm 0.725mm 表面実装 0.95mm 6 - 2.97 to 3.63V BiCMOS 1
アナログ・デバイセズ
エンベデッドアレイ 量産体制 6TDFN 3mm 3mm 0.75mm 表面実装 0.95mm 6 -
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA
ラピスセミコンダクタ
エンベデッドアレイ 0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ MG73N/74N/75N 開発中 Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V 67ps CMOSプロセス 3 1mA to 24mA