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接合型FET

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メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
順伝達アドミタンス[Min] (S)
順伝達アドミタンス[Typ] (S)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Min] (V)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Max] (V)
適用中のフィルタ
なし

購入する 表示件数:
三洋半導体
接合型FET 汎用スイッチングデバイス 量産体制 CPH3 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 150Cel 1 120mA 0.6W 100V 1.2V
オン・セミコンダクター
接合型FET JFET Switching N-Channel-Depletion 量産体制 TO-92(TO-226AA) 基板挿入 350mW 25V
イサハヤ電子
接合型FET 低周波増幅用Pチャネル接合形(ミニタイプ) 量産体制 SC-59/TO-236 @JEITA/JEDEC 表面実装 125Cel 150mW 0.3V 6V
イサハヤ電子
接合型FET 低周波増幅用Pチャネル接合形(スーパーミニタイプ) 量産体制 SC-70 表面実装 125Cel 150mW 0.3V 6V
イサハヤ電子
接合型FET 低周波増幅用Pチャネル接合形(フレームタイプ) 量産体制 125Cel 450mW 0.2V 6V
三洋半導体
接合型FET PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタ高速スイッチング用 量産体制 NP 150Cel -2A 0.7W -20V -0.3V
三洋半導体
接合型FET 低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 表面実装 1 Nチャネル 20mA 150mW 40V -0.3V -2.5V
三洋半導体
接合型FET 低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 表面実装 1 Nチャネル 20mA 150mW 30V -0.2V -2.5V
三洋半導体
接合型FET コンデンサマイク用Nチャネル接合型電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル 1mA 100mW -0.2V -1.5V
三洋半導体
接合型FET 高周波増幅用、低周波増幅用、アナログ・スイッチ用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル 75mA 250mW 40V -2V -5V
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 NP 5mm 4mm 5mm 基板挿入 1 Nチャネル 100mA 500mW 15V -1.2V -4.5V
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル 50mA 300mW 15V -0.3V -1.2V
東芝
接合型FET 接合形FET 1素子 量産体制 S-Mini / 2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル 100mW -0.4V -5V
東芝
接合型FET 接合形FET 1素子 量産体制 S-Mini / 2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル 150mW -0.2V -1.5V
三洋半導体
接合型FET インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 1 Nチャネル 5mA 150mW 30V -0.3V -1.5V
三洋半導体
接合型FET FMチューナ用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル 20mA 200mW -2.5V
東芝
接合型FET 接合形FET 2素子 量産体制 SMV / 2-3L1S 2.9mm 1.6mm 1.1mm 表面実装 2 Nチャネル 300mW -0.2V -1.5V
三洋半導体
接合型FET インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SMCP 1.6mm 0.8mm 0.75mm 表面実装 1 Nチャネル 20mA 100mW 30V -0.2V -2.5V
三洋半導体
接合型FET 低周波低雑音増幅用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 NP 5mm 4mm 5mm 基板挿入 1 Nチャネル 300mW 40V
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル 50mA 200mW 15V -0.3V -1.5V