ディスクリート > 複合ディスクリートデバイス (532)
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メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ電流(パルス)[Max] (A)
利得帯域幅積[Min] (Hz)
利得帯域幅積[Typ] (Hz)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] (V)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
ドレイン電流(パルス)[Max] (A)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Min] (V)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Max] (V)
順電圧[Typ] (V)
順電圧[Max] (V)
抵抗比率[Min]
抵抗比率[Nom]
抵抗比率[Max]
入力抵抗[Min] (Ohm)
入力抵抗[Nom] (Ohm)
入力抵抗[Max] (Ohm)
ピーク逆電圧[Max] (V)
平均整流電流[Max] (A)
複合構成素子
内部接続
ドレイン・ソース間オン抵抗[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗[Max] (Ohm)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Min] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] (V)
コレクタ・ベース間電圧[Max] (V)
エミッタ・ベース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間電圧[Max] (V)
適用中のフィルタ
なし

購入する 表示件数:
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT426/D2PAK 表面実装 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT426/D2PAK 表面実装 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET BUK7905シリーズ 量産体制 TO-220/SOT-263B 基板挿入 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT263B/TO-220 表面実装 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT263B/TO-220 表面実装 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT263B/TO-220 表面実装 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET BUK7C08シリーズ 量産体制 SOT427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS standard level FET 量産体制 SOT427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS logic level FET 量産体制 TO-220/SOT-263B 基板挿入 1.7mm 5
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS logic level FET 量産体制 SOT-427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS logic level FET 量産体制 SOT-427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
Nexperia
複合ディスクリートデバイス N-channel TrenchPLUS logic level FET 量産体制 SOT-427/D2PAK 表面実装 1.27mm 7
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータTR:PNPエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータ用TR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード複合 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータ用TR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード複合 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータTR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータ用TR:PNPエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装
三洋半導体
複合ディスクリートデバイス 汎用スイッチングデバイスMOSFET:NチャネルMOS型シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード 量産体制 CPH5 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装