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NEXTY実績

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製品供給状態

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パッケージ型名

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実装方法

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ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)

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ゲート・ソース間電圧[Max] (V)

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全許容損失[Max] (W)

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飽和ドレイン電流[Typ] (A)

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ゲート・ソース間降伏電圧[Min] (V)

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付随利得[Min] (dB)

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付随利得[Typ] (dB)

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熱抵抗[Max] (Cel/W)

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適用中のフィルタ

メーカ名 =

NXPセミコンダクターズ

型名	メーカ名	製品分類名称	製品名	製品供給状態	パッケージ型名	実装方法	全許容損失[Max]	熱抵抗[Max]
MRFG35003M6T1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	22.7W	6.6Cel/W
MRFG35003MT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	8.1W	18.5Cel/W
MRFG35003N6T1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	22.7W	6.6Cel/W
MRFG35003NT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	8.1W	18.5Cel/W
MRFG35005MT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	生産中止	PLD-1.5	表面実装	10.5W	14.2Cel/W
MRFG35005NT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	生産中止	PLD-1.5	表面実装	10.5W	14.2Cel/W
MRFG35010MT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	22.7W	6.6Cel/W
MRFG35010NT1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistors	生産中止	PLD-1.5	表面実装	22.7W	6.6Cel/W
MRFG35010R1	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	生産中止	NI-360HF	表面実装	28.3W	5.3Cel/W
MRFG35030R5	NXPセミコンダクターズ	HEMT	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	廃止品		表面実装	79W	1.9Cel/W