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バイポーラトランジスタ

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
適用中のフィルタ
メーカ名 =
NXPセミコンダクターズ

購入する 表示件数:
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT323/SC-70 2mm 1.25mm 表面実装 0.65mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 450mW 60 200 12V NPN 0.6dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT223/SC-73 6.5mm 3.5mm 1.595mm 表面実装 2.3mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 200mA 2000mW 60 130 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT89/TO-243/SC-62 4.5mm 2.5mm 1.5mm 表面実装 1.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 200mA 2000mW 60 130 16V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 30mA 200mW 90 180 5.5V NPN 0.85dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 60mA 225mW 90 180 5.5V NPN 0.65dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 100mA 490mW 90 180 5.5V NPN 0.65dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon germanium RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 30mA 197mW 205 555 2.8V NPN 1.3dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon germanium RF transistor 量産体制 SOT883C 1mm 0.6mm 0.32mm 表面実装 0.175mm 3 - 125Cel 1 1 0 30mA 160mW 205 555 3V NPN 0.75dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon germanium RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 70mA 220mW 155 505 2.8V NPN 0.5dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon germanium RF transistor 量産体制 SOT343F 2mm 1.25mm 0.7mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 100mA 234mW 235 585 2.8V NPN 0.4dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT323 表面実装 1.3mm 3 ○ 150Cel 1 30mA 450mW 60 200 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT23 表面実装 1.9mm 3 ○ 150Cel 1 30mA 450mW 60 200 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT143B 表面実装 1.7mm 4 ○ 150Cel 1 30mA 450mW 60 200 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT143B 表面実装 1.7mm 4 ○ 150Cel 1 30mA 450mW 60 200 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT143R 表面実装 1.7mm 4 ○ 150Cel 1 30mA 450mW 60 200 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT89 表面実装 1.5mm 3 ○ 150Cel 1 60mA 1000mW 60 130 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN wideband silicon RF transistor 量産体制 SOT223 表面実装 2.3mm 4 ○ 150Cel 1 60mA 1000mW 60 130 12V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN 9 GHz wideband transistors 生産中止 SOT343N 2mm 1.25mm 表面実装 1.15mm 4 - 175Cel 1 1 0 70mA 500mW 60 250 15V NPN 1.1dB 1.6dB
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN 5 GHz wideband transistor 生産中止 SOT223/SC-73 表面実装 2.3mm 4 - 175Cel 1 100mA 1W 25 15V NPN
NXPセミコンダクターズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN 8 GHz wideband transistor 生産中止 SOT23/TO-236AB 表面実装 0.95mm 3 - 175Cel 1 50mA 300mW 60 10V NPN