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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
NXPセミコンダクターズ

購入する 表示件数:
NXPセミコンダクターズ
MOSFET RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 新規設計非推奨 PLD-1.5/466-03 6.605mm 5.845mm 1.74mm 表面実装 4 - 150Cel 1 Nチャネル 4A 62.5W 1V 2.1V 40V 1microA
NXPセミコンダクターズ
MOSFET N-channel junction FET 生産中止 SOT23/TO-236AB 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 40mA 300mW -0.3V -1.2V 20V 25mA
NXPセミコンダクターズ
MOSFET Dual-gate MOS-FETs 生産中止 SOT143R 2.9mm 1.3mm 表面実装 1.7mm 4 - 1 Nチャネル 40mA 200mW 12V 3mA 27mA
NXPセミコンダクターズ
MOSFET P-channel enhancement mode MOS transistor 廃止品 SOT23 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -0.3A 0.417W -1V -60V -100nA 2.1Ohm 2.5Ohm -10V 2.7Ohm 3.75Ohm -4.5V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET P-channel enhancement mode MOS transistor 廃止品 SOT23 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -0.52A 0.417W -0.4V -30V -10microA 0.63Ohm 0.9Ohm -10V 0.89Ohm 1.35Ohm -4.5V 0.95Ohm 1.35Ohm -10V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET P-channel enhancement mode MOS transistor 廃止品 SOT23 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -0.47A 0.417W -0.4V -30V -100nA 0.66Ohm 0.9Ohm -4.5V 0.92Ohm 1.1Ohm -2.5V 1.1Ohm 1.2Ohm -1.8V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 廃止品 SOT223/SC-73 6.5mm 3.5mm 1.65mm 表面実装 2.3mm 4 - 150Cel 1 Nチャネル 375mA 1.5W 0.8V 2V 250V 1microA 2.8Ohm 5Ohm 10V 7.5Ohm 2.4V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 廃止品 SOT223/SC-73 6.5mm 3.5mm 1.65mm 表面実装 2.3mm 4 - 150Cel 1 Nチャネル 350mA 1.5W 0.8V 2V 300V 100nA 3.7Ohm 6Ohm 10V 4.8Ohm 10Ohm 2.4V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 廃止品 SOT223 6.5mm 3.5mm 1.65mm 表面実装 2.3mm 4 - 150Cel 1 Pチャネル -225mA 1.5W -0.8V -2.8V -250V -1microA 10Ohm 15Ohm -10V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET 廃止品 SOT23 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 150mA 0.25W 1V 2.8V 100V 100nA 3.5Ohm 6Ohm 10V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET MOSFET N-channel enhancement switching transistor 生産中止 SOT143B 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 1.7mm 4 - 125Cel 1 Nチャネル 50mA 230mW 0.1V 2V 10V 45Ohm 10V 80Ohm 120Ohm 3.2V 70Ohm 5V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET 200 V, N-channel vertical D-MOS transistor 廃止品 SOT89/TO-243/SC-62 4.5mm 2.5mm 1.5mm 表面実装 1.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.2A 0.58W 0.8V 2.8V 200V 60microA 1.6Ohm 3Ohm 10V 1.9Ohm 4Ohm 4.5V 3.7Ohm 7Ohm 10V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET TrenchMOS transistor Logic level FET 廃止品 SOT223 6.5mm 3.5mm 1.65mm 表面実装 2.3mm 4 - 150Cel 1 Nチャネル 3.5A 1.8W 0.6V 2.3V 55V 100microA 148mOhm 5V 65mOhm 80mOhm 5V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET N-channel silicon field-effect transistors 生産中止 SOT23 2.9mm 1.3mm 1mm 表面実装 0.95mm 3 - 1 Nチャネル 30mA 250mW -1V -4V 25V 12mA 30mA 50Ohm 0V
NXPセミコンダクターズ
MOSFET Dual N-channel microTrenchMOS extremely low level FET 廃止品 SOT363/SC-88 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 0.74A 0.41W 0.35V 1.8V 30V 100microA 629mOhm 748mOhm 4.5V 550mOhm 650mOhm 2.5V 370mOhm 440mOhm 4.5V