|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
200mW |
200 |
400 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
200 |
400 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
200 |
400 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
200mW |
70 |
140 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
70 |
140 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
70 |
140 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
200mW |
120 |
240 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
120 |
240 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type |
量産体制
|
S-Mini/2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-150mA |
150mW |
120 |
240 |
-0.1V |
-0.3V |
-100mA |
-50V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
150mW |
350 |
700 |
|
-0.3V |
-10mA |
-120V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
200mW |
350 |
700 |
|
-0.3V |
-10mA |
-120V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
150mW |
200 |
400 |
|
-0.3V |
-10mA |
-120V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
200mW |
200 |
400 |
|
-0.3V |
-10mA |
-120V |
PNP |
1dB |
10dB |
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
70 |
400 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
200mW |
70 |
400 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
25 |
140 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
200mW |
25 |
140 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
125Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
40 |
240 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
TO-236MOD/SC-59/2-3F1A |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
○ |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
200mW |
40 |
240 |
-0.1V |
-0.25V |
-100mA |
-30V |
PNP |
|
|
|
|
|
東芝
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
量産体制
|
SC-62/2-5K1A |
|
2.5mm |
|
表面実装
|
1.4mm |
1.5mm |
1.6mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-800mA |
500mW |
80 |
160 |
|
-1V |
-500mA |
-120V |
PNP |
|
|