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バイポーラトランジスタ

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ディスクリート > トランジスタ > バイポーラトランジスタ (308)
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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
適用中のフィルタ
メーカ名 =
インフィニオンテクノロジーズ

購入する 表示件数:
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ NPN Silicon AF Transistor 量産体制 SOT323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 500mA 250mW 40 250 0.7V 500mA 45V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ NPN Silicon Digital Transistor 量産体制 SC74 2.9mm 1.6mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 6 ○ 150Cel 2 2 0 100mA 250mW 50 0.3V 10mA 50V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ SiGe:C NPN RF bipolar transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 表面実装 1.3mm 4 - 150Cel 1 1 0 45mA 160mW 160 400 4.2V NPN 1.8dB
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 80mA 580mW 70 140 12V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Surface mount wideband silicon NPN RF bipolar transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 1.3mm 4 - 150Cel 1 1 0 25mA 75mW 60 130 4.5V NPN 1.25dB
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 25mA 75mW 60 130 4.5V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 60mA 210mW 60 130 4.5V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Linear Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 170mA 500mW 50 130 4.5V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 125mW 70 170 2.5V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 120mW 70 170 2.5V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 200mW 110 270 4.1V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4-1 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 200mW 110 270 4.1V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4-1 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 50mA 200mW 110 270 4.1V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 150mA 500mW 100 250 4V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low profile linear silicon NPN RF bipolar transistor 量産体制 TSFP-4-1 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 - 150Cel 1 1 0 150mA 500mW 110 270 4V NPN 0.8dB
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ SiGe:C NPN RF bipolar transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 - 150Cel 1 1 0 45mA 160mW 160 400 4V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ SiGe:C NPN RF bipolar transistor 量産体制 SOT-343 2mm 1.25mm 表面実装 1.15mm 4 - 150Cel 1 1 0 160mW 160 400 4.7V 1mA 4.2V NPN 0.55dB
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4-1 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 45mA 160mW 160 400 4V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 量産体制 TSFP-4-1 1.4mm 0.8mm 0.55mm 表面実装 0.9mm 1mm 1.1mm 4 ○ 150Cel 1 1 0 45mA 160mW 160 400 4.2V NPN
インフィニオンテクノロジーズ
汎用バイポーラトランジスタ SiGe:C NPN RF bipolar transistor 量産体制 SOT343 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 4 - 150Cel 1 1 0 45mA 160mW 160 400 4V NPN