|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
量産体制
|
TO-263AB |
2.9mm |
1.3mm |
0.95mm |
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
量産体制
|
PG-SOT-363 |
2mm |
1.25mm |
|
表面実装
|
0.65mm |
6 |
○ |
150Cel |
2 |
セパレート |
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
量産体制
|
PG-SOT-363 |
2mm |
1.25mm |
0.9mm |
表面実装
|
0.65mm |
6 |
○ |
150Cel |
2 |
セパレート |
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
量産体制
|
PG-SOT-23 |
2.9mm |
1.3mm |
|
表面実装
|
0.95mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET: Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO263-7-HV-ND5.8 |
10.25mm |
10mm |
4.4mm |
表面実装
|
1.27mm |
7 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET: Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO263-7-HV-ND5.8 |
10.25mm |
10mm |
4.4mm |
表面実装
|
1.27mm |
7 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO247-3-41 |
15.9mm |
5mm |
21.1mm |
基板挿入
|
5.44mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO247-3-41 |
15.9mm |
5mm |
21.1mm |
基板挿入
|
5.44mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET, Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO247-3-41 |
15.9mm |
5mm |
21.1mm |
基板挿入
|
5.44mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO247-3-41 |
15.9mm |
5mm |
21.1mm |
基板挿入
|
5.44mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET |
量産体制
|
PG-TO247-3-41 |
15.9mm |
5mm |
21.1mm |
基板挿入
|
5.44mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
D2PAK/TO-263AB |
10.16mm |
9.015mm |
4.445mm |
表面実装
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
TO-220AB |
10.16mm |
4.195mm |
15.365mm |
基板挿入
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
D2PAK/TO-263AB |
10.16mm |
9.015mm |
4.445mm |
表面実装
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
D2PAK/TO-263AB |
10.16mm |
9.015mm |
4.445mm |
表面実装
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
TO-220AB |
10.16mm |
4.19mm |
15.365mm |
基板挿入
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
D2PAK/TO-263AB |
10.16mm |
9.015mm |
4.445mm |
表面実装
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
Power MOSFET |
量産体制
|
D2PAK-7 |
10.095mm |
9.015mm |
4.445mm |
表面実装
|
1.27mm |
7 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
WIDELEAD HEXFET Power MOSFET |
量産体制
|
TO-262 Widelead |
10.16mm |
4.445mm |
|
基板挿入
|
3.81mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |
|
|
|
インフィニオンテクノロジーズ
|
|
|
MOSFET |
HEXFET Power MOSFETs |
量産体制
|
TO-220AB |
10.16mm |
4.195mm |
15.365mm |
基板挿入
|
2.54mm |
3 |
○ |
175Cel |
1 |
|
Nチャネル |