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インフィニオンテクノロジーズ
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強誘電体メモリ |
4-Kbit (512 × 8) Serial (I2C) Automotive-E F-RAM |
CY15B004Jシリーズ |
量産体制
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SOIC-8 |
4.889mm |
3.8985mm |
1.4635mm |
表面実装
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1.27mm |
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8 |
○ |
4kbit |
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8bit |
-40Cel |
125Cel |
-1V |
5V |
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インフィニオンテクノロジーズ
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強誘電体メモリ |
64-Kbit (8K × 8) Serial (I2C) F-RAM |
FM24CL64Bシリーズ |
量産体制
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DFN-8 |
4.5mm |
4mm |
0.7mm |
表面実装
|
0.9mm |
0.95mm |
1mm |
8 |
○ |
64kbit |
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8bit |
-40Cel |
85Cel |
-1V |
5V |
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富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 1Mビット(128K x 8) |
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量産体制
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FPT-48P-M25 |
12.4mm |
12mm |
1.03mm |
表面実装
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1Mbit |
128kword |
8bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) |
MB85R1002 |
量産体制
|
BGA-48P-M23 |
8.1mm |
6.1mm |
0.7mm |
表面実装
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1Mbit |
64kword |
16bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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|
富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) |
MB85R1002 |
量産体制
|
FPT-48P-M25 |
12.4mm |
12mm |
1.03mm |
表面実装
|
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|
1Mbit |
64kword |
16bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 2Mビット(256K x 8) |
|
量産体制
|
FPT-48P-M25(TSOP(1)-48) |
12.4mm |
12mm |
1.03mm |
表面実装
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|
2Mbit |
256kword |
8bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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|
富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 2Mビット(128K x 16) |
|
量産体制
|
FPT-48P-M25 |
12.4mm |
12mm |
1.03mm |
表面実装
|
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|
2Mbit |
128kword |
16bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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|
富士通セミコンダクター
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|
強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット |
MB85R256H |
量産体制
|
FPT-28P-M17(SOP-28) |
17.75mm |
8.6mm |
2.45mm |
表面実装
|
|
|
|
|
|
256kbit |
32kword |
8bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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|
富士通セミコンダクター
|
|
|
強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット |
MB85R256H |
量産体制
|
FPT-28P-M17(SOP-28) |
17.75mm |
8.6mm |
2.45mm |
表面実装
|
|
|
|
|
|
256kbit |
32kword |
8bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
|
|
富士通セミコンダクター
|
|
|
強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット |
MB85R256H |
量産体制
|
FPT-28P-M19(TSOP(1)-28) |
11.8mm |
8mm |
|
表面実装
|
|
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|
|
256kbit |
32kword |
8bit |
-40Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
|
|
富士通セミコンダクター
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強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビットSPI |
MB85RS256 |
量産体制
|
FPT-8P-M02(SOP-8) |
5.05mm |
3.9mm |
1.4mm |
表面実装
|
|
|
|
|
|
256kbit |
32kword |
8bit |
-20Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
|
|
富士通セミコンダクター
|
|
|
強誘電体メモリ |
メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビットSPI |
MB85RS256 |
量産体制
|
FPT-8P-M02(SOP-8) |
5.05mm |
3.9mm |
1.4mm |
表面実装
|
|
|
|
|
|
256kbit |
32kword |
8bit |
-20Cel |
85Cel |
-0.5V |
4V |
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|
富士通セミコンダクター
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|
強誘電体メモリ |
ASSP 4ポートDDC搭載EDID用メモリLSI |
MB85RF402 |
廃止品
|
FPT-16P-M08 |
4.96mm |
4.4mm |
1mm |
表面実装
|
|
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|
|
2048bit |
256word |
8bit |
-20Cel |
85Cel |
|
7V |
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|
富士通セミコンダクター
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|
|
強誘電体メモリ |
ASSP 4ポートDDC搭載EDID用メモリLSI |
MB85RF402 |
廃止品
|
FPT-16P-M08 |
4.96mm |
4.4mm |
1mm |
表面実装
|
|
|
|
|
|
2048bit |
256word |
8bit |
-20Cel |
85Cel |
|
7V |