Home » ディスクリート » トランジスタ » FET » MOSFET

MOSFET

使い方動画
会員専用

NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
NEXTYサポートを優先する・・・ユーザ様が所属している会社に対して商圏があるメーカが検索結果の上位に表示されます
　　　　　　　　　　　　　　 　NEXTYサポートがある部品については部品の技術的な問い合わせが可能となります

NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Max] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
PAN JIT INTERNATIONAL

購入する 表示件数:
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 量産体制 SOT-23-3L 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 量産体制 SOT-23-3L 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 300mA 500mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-23 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 300mA 500mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-363 2.05mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.55mm 0.65mm 0.75mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-363 2.05mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.55mm 0.65mm 0.75mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル 250mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-363 2.05mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.55mm 0.65mm 0.75mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル 250mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-363 2.05mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.55mm 0.65mm 0.75mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-363 2.05mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.55mm 0.65mm 0.75mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-523 1.6mm 1.2mm 0.55mm 表面実装 0.45mm 0.5mm 0.55mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-523 1.6mm 1.2mm 0.55mm 表面実装 0.45mm 0.5mm 0.55mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.115A 0.2W 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 250mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 250mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 量産体制 SOT-23 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 3Ohm 10V 4Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 新規設計非推奨 SOT-523 1.6mm 1.2mm 0.55mm 表面実装 0.45mm 0.5mm 0.55mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 150mW 1V 2.5V 60V 1microA 5Ohm 10V 7.5Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 新規設計非推奨 SOT-323 2mm 1.25mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 5Ohm 10V 7.5Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 新規設計非推奨 SOT-323 2mm 1.25mm 表面実装 0.6mm 0.65mm 0.7mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 5Ohm 10V 7.5Ohm 4.5V
PAN JIT INTERNATIONAL
MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected 量産体制 SOT-23-3L 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 170mA 500mW 1V 2.5V 100V 1microA 4Ohm 6Ohm 10V 4.5Ohm 10Ohm 4.5V