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GaAs FET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間電圧[Max] (V)
飽和ドレイン電流[Typ] (A)
飽和ドレイン電流[Max] (A)
熱抵抗[Max] (Cel/W)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
Nexperia

購入する 表示件数:
Nexperia
GaAs FET 650 V, 50 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET 量産体制 TO-247/SOT429 15.9mm 5.029mm 20.955mm 基板挿入 5.436mm 3 - 650V 2microA 25microA 40Cel/W