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DRAM

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
クロック周波数[Max] (Hz)
定格電源電圧[Min] (V)
定格電源電圧[Max] (V)
電源電流（通常動作）[Max] (A)
機能種別
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
消費電力[Max] (W)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
ラピスセミコンダクタ

購入する 表示件数:
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64160 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64160 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 20.95mm 10.16mm 1mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64160 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64160 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 20.95mm 10.16mm 1mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:EDO機能付き高速ページモード MD51V64165 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel EDO 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:EDO機能付き高速ページモード MD51V64165 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 20.95mm 10.16mm 1mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel EDO 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:EDO機能付き高速ページモード MD51V64165 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel EDO 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:EDO機能付き高速ページモード MD51V64165 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 20.95mm 10.16mm 1mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel EDO 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 表面実装 67108864bit 4194304word 16bit 0Cel 70Cel EDO 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 16,777,216-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64400 量産体制 SOJ32-P-400-1.27 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 16384kword 4bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 16,777,216-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64400 量産体制 TSOPII32-P-400-1.27-K 表面実装 65536kbit 16384kword 4bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 16,777,216-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64400 量産体制 SOJ32-P-400-1.27 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 16384kword 4bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 16,777,216-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64400 量産体制 TSOPII32-P-400-1.27-K 表面実装 65536kbit 16384kword 4bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 8,388,608-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64800 量産体制 SOJ32-P-400-1.27 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 8192kword 8bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 8,388,608-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64800 量産体制 TSOPII32-P-400-1.27-K 表面実装 65536kbit 8192kword 8bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 8,388,608-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64800 量産体制 SOJ32-P-400-1.27 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 8192kword 8bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 8,388,608-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V64800 量産体制 TSOPII32-P-400-1.27-K 表面実装 65536kbit 8192kword 8bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V65160 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V65160 量産体制 TSOPII50-P-400-0.80-1K 20.95mm 10.16mm 1mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V
ラピスセミコンダクタ
DRAM 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM:高速ページモード MD51V65160 量産体制 SOJ50-P-400-0.80 20.95mm 10.16mm 表面実装 65536kbit 4096kword 16bit 0Cel 70Cel ファーストページ 3V 3.3V 3.6V