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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
67ps |
CMOSプロセス |
3 |
1mA to 24mA |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
67ps |
CMOSプロセス |
3 |
1mA to 24mA |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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CMOSプロセス |
3 |
1mA to 24mA |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
67ps |
CMOSプロセス |
3 |
1mA to 24mA |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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CMOSプロセス |
3 |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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CMOSプロセス |
3 |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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開発中
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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CMOSプロセス |
3 |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
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開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
67ps |
CMOSプロセス |
3 |
1mA to 24mA |
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ラピスセミコンダクタ
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エンベデッドアレイ |
0.22micro m CMOS エンベデッドアレイ |
MG73N/74N/75N |
開発中
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Min:3.0V/Typ:3.3V/Max:3.6V |
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CMOSプロセス |
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