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DRAM

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IC > メモリ > DRAM (370)
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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
クロック周波数[Max] (Hz)
定格電源電圧[Min] (V)
定格電源電圧[Max] (V)
電源電流（通常動作）[Max] (A)
機能種別
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
消費電力[Max] (W)
アドレス・バス幅[Nom] (bit)
データ・バス幅[Nom] (bit)
電源電圧種類
適用中のフィルタ
メーカ名 =
Elite Semiconductor Memory Technology

購入する 表示件数:
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 105Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
Elite Semiconductor Memory Technology
DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 105Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 200MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 166MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 166MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 166MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 FBGA-54 8mm 8mm 0.66mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel 166MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V
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DRAM 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM M12L128168Aシリーズ 量産体制 TSOPII-54 22.22mm 10.16mm 1mm 表面実装 0.8mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit 0Cel 70Cel 166MHz シンクロナス 3V 3.3V 3.6V 3.3V