ディスクリート > トランジスタ > バイポーラトランジスタ > 汎用バイポーラトランジスタ (1,967)
会員専用

NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
NEXTYサポートを優先する・・・ユーザ様が所属している会社に対して商圏があるメーカが検索結果の上位に表示されます
                NEXTYサポートがある部品については部品の技術的な問い合わせが可能となります

NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧3[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧3[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧4[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧4[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧5[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧5[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧6[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧6[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
適用中のフィルタ
メーカ名 =
オン・セミコンダクター

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ Bipolar Transistor -12V, -1A, Low VCE (sat) PNP Single MCPH3 量産体制 MCPH3/SC-70/SOT-323 2mm 1.6mm 0.85mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 0 1 -1A 600mW 300 700 -120mV -240mV -400mA -12V PNP 90ns
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ Bipolar Transistor 15V, 0.7A, Low VCE (sat) NPN Single MCP 量産体制 MCP/SC-70/SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 1 0 700mA 300mW 300 800 150mV 300mV 200mA 15V NPN 117ns
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ 15 V, 0.6 A, Low VCE(sat), NPN Single SSFP Bipolar Transistor 量産体制 SSFP/SC-81 1.4mm 0.8mm 0.59mm 表面実装 0.45mm 3 - 150Cel 1 1 0 600mA 200mW 300 800 150mV 300mV 200mA 15V NPN 117ns
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ 10 V, 70 mA, fT=1.5 GHz, NPN Single CP RF Transistor 量産体制 CP/SC-59/TO-236/SOT-23/TO-236AB 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 1 0 70mA 200mW 100 180 10V NPN 1.6dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ 10 V, 70 mA, fT=1.5 GHz NPN Single MCP RF Transistor 量産体制 MCP/SC-70/SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 1 0 70mA 400mW 100 180 10V NPN 1.6dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN Complementary Silicon High-Power Transistor 量産体制 TO-204/TO-3 39.37mm 26.67mm 7.43mm フランジタイプ 10.92mm 2 - 200Cel 1 1 0 15A 115W 5 70 1.1V 4A 3V 10A 5V 15A 60V NPN 9micros
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN Complementary Silicon Power Transistor 量産体制 TO-204AA/TO-3 39.37mm 26.67mm 7.43mm フランジタイプ 10.92mm 2 - 200Cel 1 1 0 15A 115W 5 70 1.1V 4A 3V 10A 60V NPN
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN Power Transistor 量産体制 TO-204/TO-3 39.37mm 26.67mm 7.43mm フランジタイプ 10.92mm 2 - 200Cel 1 1 0 16A 150W 5 60 1.4V 8A 4V 16A 140V NPN
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 1 0 200mA 625mW 30 300 0.2V 10mA 0.3V 50mA 40V NPN 250ns 5dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 1 0 200mA 625mW 30 300 0.2V 10mA 0.3V 50mA 40V NPN 250ns 5dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 1 0 200mA 625mW 30 300 0.2V 10mA 0.3V 50mA 40V NPN 250ns 5dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 1 0 200mA 625mW 30 300 0.2V 10mA 0.3V 50mA 40V NPN 250ns 5dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 1 0 200mA 625mW 30 300 0.2V 10mA 0.3V 50mA 40V NPN 250ns 5dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ PNP General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 0 1 -200mA 625mW 30 300 -0.25V -10mA -0.4V -50mA -40V PNP 300ns 4dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ PNP General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 基板挿入 2.4mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 0 1 -200mA 625mW 30 300 -0.25V -10mA -0.4V -50mA -40V PNP 300ns 4dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ PNP General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 基板挿入 2.4mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 0 1 -200mA 625mW 30 300 -0.25V -10mA -0.4V -50mA -40V PNP 300ns 4dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ PNP General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 基板挿入 2.4mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 0 1 -200mA 625mW 30 300 -0.25V -10mA -0.4V -50mA -40V PNP 300ns 4dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ PNP General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 基板挿入 2.4mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 0 1 -200mA 625mW 30 300 -0.25V -10mA -0.4V -50mA -40V PNP 300ns 4dB
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 1 0 600mA 625mW 20 300 0.4V 150mA 0.75V 500mA 40V NPN 255ns
オン・セミコンダクター
汎用バイポーラトランジスタ NPN General-Purpose Amplifier 量産体制 TO-92 LF 基板挿入 2.4mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 1 0 600mA 625mW 20 300 0.4V 150mA 0.75V 500mA 40V NPN 255ns