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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Max] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Max] (Ohm)
駆動電圧4[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
オン・セミコンダクター

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
MOSFET Power MOSFET, 100 V, 8 Ohm, 270 mA, Single N-Channel 量産体制 CPH3/SC-59/SOT-23/TO-236 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 270mA 0.6W 1.2V 2.6V 100V 1microA 6Ohm 8Ohm 10V 6.8Ohm 9.8Ohm 4V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET -100V, 18ohm, -170mA, Single P-Channel 量産体制 CPH3/SC-59/SOT-23/TO-236 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -170mA 0.6W -1.2V -2.6V -100V -1microA 12.5Ohm 18Ohm -10V 14Ohm 21Ohm -4V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AN 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92-3L/135AR 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 2.4mm 2.6mm 2.8mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 7.5Ohm 10V 1.7Ohm 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode 量産体制 SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 115mA 200mW 1V 2V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET Single N-Channel, 60 V 310 mA 2.5 ohm 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 260mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 0.86Ohm 2.5Ohm 10V 1.1Ohm 3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET Single N-Channel, 60 V, 310 mA, 2.5 Ohm 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 260mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 0.86Ohm 2.5Ohm 10V 1.1Ohm 3Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 4Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N-Channel, SOT-23 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 380mA 300mW 1V 2.3V 60V 1microA 1.19Ohm 1.6Ohm 10V 1.33Ohm 2.5Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET Small Signal MOSFET Single N-Channel, 60 V, 380 mA, 1.6 Ohm, SOT-23 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 380mA 300mW 1V 2.3V 60V 1microA 1.19Ohm 1.6Ohm 10V 1.33Ohm 2.5Ohm 4.5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SC-70 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 310mA 300mW 1.1V 2.1V 60V 1microA 1.6Ohm 10V 2Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel, Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 225mW 1V 2.5V 60V 1microA 7.5Ohm 10V 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel, Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA 新規設計非推奨 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 225mW 1V 2.5V 60V 1microA 7.5Ohm 10V 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel, Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 225mW 1V 2.5V 60V 1microA 7.5Ohm 10V 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET MOSFET-N-Channel Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA 量産体制 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 225mW 1V 2.5V 60V 1microA 7.5Ohm 10V 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET MOSFET-N-Channel Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA 新規設計非推奨 SOT-23/TO-236 2.9mm 1.3mm 0.94mm 表面実装 0.89mm 0.95mm 1.02mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 225mW 1V 2.5V 60V 1microA 7.5Ohm 10V 7.5Ohm 5V
オン・セミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523F 3L 1.6mm 0.88mm 0.68mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V