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IGBTモジュール

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Typ] (A)
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
ゲート・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
等価回路
ターンオフ遅延時間[Typ] (s)
ターンオフ遅延時間[Max] (s)
トランジスタ部熱抵抗[Max] (Cel/W)
ダイオード部熱抵抗[Max] (Cel/W)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
オン・セミコンダクター

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
IGBTモジュール Ignition IGBT 18Amps,400Volts N-Channel DPAK 量産体制 DPAK 表面実装 700microV 18A 4000nV 9000ns 15000ns ダイオード入り1素子タイプ 1.3Cel/W 95Cel/W