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IGBTディスクリート

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
素子数[Nom]
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Typ] (A)
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Min] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Typ] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] (V)
チャネル型
適用中のフィルタ
メーカ名 =
オン・セミコンダクター

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート EcoSPARK2 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT FGD3040G2-F085シリーズ 量産体制 TO-252AA 6.54mm 6.095mm 2.285mm 表面実装 2.29mm 3 ○ 1 1.15V 1.25V 41A 150W 450V 1.9micros 7micros 1.3V 1.7V 2.2V Nチャネル
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 20A,400V,N-Channel D^2PAK 量産体制 D^2PAK 表面実装 350microV 15A 50W 2000nV 10500ns 14000ns
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート 生産中止
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート 生産中止
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート 生産中止
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 15Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK MGP15N35CL, MGB15N35CL 生産中止 TO-220/D2PAK 表面実装 15A 2.1V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 15 Amps, 380 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK MGP15N38CL, MGB15N38CL1 生産中止 TO-220/D2PAK 表面実装 15A 2.1V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK MGP15N40CL, MGB15N40CL 生産中止 TO-220/D2PAK 表面実装 15A 2.1V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 15 Amps, 430 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK MGP15N43CL, MGB15N43CL 生産中止 TO-220/D2PAK 表面実装 15A 2.1V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Isulated Gate Bipolar Trnsistor MGP15N60U 生産中止 TO-220AB 表面実装 26A 7V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK MGP19N35CL, MGB19N35CL 生産中止 TO-220AB/D2PAK 表面実装 19A 2.1V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT MGP20N14CL 生産中止 TO-220AB 表面実装 20A 2V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor MGP20N60U 生産中止 TO-220AB 表面実装 31A 7V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor MGP21N60E 生産中止 TO-220AB 表面実装 31A 8V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor MGP4N60E 生産中止 TO-220AB 表面実装 6A 8V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode MGP4N60ED 生産中止 TO-220AB 表面実装 6A 8V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor MGP7N60E 生産中止 TO-220AB 表面実装 7A 8V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode MGP7N60ED 生産中止 TO-220AB 表面実装 7A 8V
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート 生産中止
オン・セミコンダクター
IGBTディスクリート Insulated Gate Bipolar Transistor MGS13002D 生産中止 TO-226AE 基板挿入 0.5A 6V