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複合ディスクリートデバイス

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ディスクリート > 複合ディスクリートデバイス (13)
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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
ドレイン電流(パルス)[Max] (A)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Min] (V)
ゲート・ソース間しゃ断電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗[Max] (Ohm)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
オン・セミコンダクター

購入する 表示件数:
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, 52 m ohm, 3.5 A, Single N-Channel with Schottky Diode Power MOSFET CPH5871シリーズ 量産体制 CPH5/SC-74A/SOT-25 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 5 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, 52 m ohm, 3.5 A, Single N-Channel with Schottky Diode Power MOSFET CPH5871シリーズ 量産体制 CPH5/SC-74A/SOT-25 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 0.95mm 5 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス -20 V, 85 m ohm, -3 A, Single EMH8 with Schottky Diode P-Channel Power MOSFET 量産体制 EMH8 表面実装 0.5mm 8 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス -20 V, 266 m ohm, -1.5 A, Single P-Channel with Schottky Diode Power MOSFET MCH5839シリーズ 量産体制 SC-88AFL/MCPH5 2mm 1.6mm 表面実装 0.65mm 5 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス MOSFET-Power, Single, P-Channel, Schottky Diodes, ChipFET, Schottky Barrier -20V, -3.0 A, 3.0A NTHD4P02Fシリーズ 量産体制 ChipFET 3.05mm 1.65mm 1.05mm 表面実装 0.65mm 8 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2 x 2 mm, uCool Package Power MOSFET NTLJF3117Pシリーズ 量産体制 WDFN6 2mm 2mm 表面実装 0.65mm 6 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, 4.6 A, uCool N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2 x 2 mm WDFN Package Power MOSFET NTLJF4156Nシリーズ 量産体制 WDFN6 2mm 2mm 表面実装 0.65mm 6 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, N-Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm uCool Package Power MOSFET NTLUF4189NZシリーズ 量産体制 WDFN6 1.6mm 1.6mm 表面実装 0.5mm 6 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, N-Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm uCool Package Power MOSFET NTLUF4189NZシリーズ 量産体制 WDFN6 1.6mm 1.6mm 表面実装 0.5mm 6 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode Power MOSFET and Schottky Diode 量産体制 SOIC-8 表面実装 1.27mm 8 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス 30 V, 1.6 A, 180 m ohm, Single SCH6 with Schottky Diode N-Channel Power MOSFET 量産体制 SCH6/SOT-563 表面実装 0.5mm 6 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス Power MOSFET -20 V, 266 m ohm, -1.5 A, Single P-Channel with Schottky Diode Power MOSFET MCH5839シリーズ 廃止品 SC-88AFL/MCPH5 2mm 1.6mm 0.85mm 表面実装 0.65mm 5 -
オン・セミコンダクター
複合ディスクリートデバイス MOSFET-Power, Single, P-Channel, Schottky Diodes, ChipFET, Schottky Barrier -20V, -3.0 A, 3.0A NTHD4P02Fシリーズ 廃止品 ChipFET 3.05mm 1.65mm 1.05mm 表面実装 0.65mm 8 -