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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
Yangzhou Yangjie Electronic Technology

購入する 表示件数:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 340mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 340mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-363 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 340mA 150mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.3W 1V 2.5V 60V 1microA 1Ohm 1.4Ohm 10V 1.15Ohm 1.6Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-363 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 300mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 DFN1006 1mm 0.6mm 0.46mm 表面実装 0.35mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 260mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-723 1.2mm 0.8mm 0.465mm 表面実装 0.4mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.34W 1V 2.5V 60V 1microA 1.8Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 3 ○ 150Cel 1 Nチャネル 300mA 300mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-563 1.6mm 1.2mm 0.6mm 表面実装 0.4mm 0.5mm 0.6mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 300mA 250mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.9Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-363 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル 220mA 250mW 0.8V 2.4V 60V 1microA 1.1Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 300mA 520mW 1.1V 2.4V 60V 1microA 1.1Ohm 2Ohm 10V 1.3Ohm 2.5Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル 300mA 416mW 1.1V 2.4V 60V 1microA 1.1Ohm 2Ohm 10V 1.3Ohm 2.5Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 340mA 150mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2.5Ohm 10V 1.3Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.95mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 250mW 0.6V 1.6V 30V 1microA 1.7Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 150mA 205mW 0.6V 1.5V 30V 1microA 1.7Ohm 2.5Ohm 10V 2Ohm 3Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 2.9mm 1.3mm 0.975mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 350mW 1V 2.5V 100V 1microA 3Ohm 5Ohm 10V 3.5Ohm 5.5Ohm 4.5V
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 350mW 1V 2.5V 100V 1microA 2.6Ohm 3.4Ohm 10V 2.8Ohm 3.6Ohm 4.5V