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DRAM

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
クロック周波数[Max] (Hz)
定格電源電圧[Min] (V)
定格電源電圧[Max] (V)
電源電流（通常動作）[Max] (A)
機能種別
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
消費電力[Max] (W)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
日本サムスン

購入する 表示件数:
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C560838F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 2048Mbit 256Mword 8bit 0Cel 70Cel 167MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C560838F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 2048Mbit 256Mword 8bit 0Cel 70Cel 200MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C560838F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 2048Mbit 256Mword 8bit 0Cel 70Cel 183MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C561638F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 4096Mbit 256Mword 16bit 0Cel 70Cel 167MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C561638F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 4096Mbit 256Mword 16bit 0Cel 70Cel 200MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 256Mb Network-DRAM Specification K4C561638F 量産体制 TSOP II 66-P-400-0.65 表面実装 4096Mbit 256Mword 16bit 0Cel 70Cel 183MHz ダブルデータレート 2.35V 2.5V 2.65V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 350MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 300MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 275MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 250MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 200MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 2Mx16Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D261638F-TC 量産体制 66pin TSOP-II 表面実装 128Mbit 2Mword 16bit 200MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 450MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 400MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 350MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 300MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 275MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 250MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238E-GC 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 222MHz ダブルデータレート 2.66V 2.8V 2.94V
日本サムスン
DRAM 1Mx32Bitx4Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL K4D263238G 量産体制 144-Ball FBGA 表面実装 128Mbit 1Mword 32bit 350MHz シンクロナス 2.375V 2.5V 2.625V