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メモリモジュール

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
サイクルタイム[Max] (Hz)
アクセスタイム[Max] (s)
外形
コネクタピン数[Nom]
搭載メモリ
適用中のフィルタ
メーカ名 =
日本サムスン

購入する 表示件数:
日本サムスン
メモリモジュール 1Mx18-bit QDRTM SRAM K7Q161862B 量産体制 165FBGA 18Mbit 1Mword 18bit 0Cel 70Cel 1.7V 2.5V 2.6V 166MHz 2.5ns
日本サムスン
メモリモジュール 1Mx18-bit QDRTM SRAM K7Q161864B 量産体制 165FBGA 18Mbit 1Mword 18bit 0Cel 70Cel 1.7V 2.5V 2.6V 166MHz 2.5ns
日本サムスン
メモリモジュール 512Kx36-bit QDRTM SRAM K7Q163662B 量産体制 165FBGA 18Mbit 512kword 36bit 0Cel 70Cel 1.7V 2.5V 2.6V 166MHz 2.5ns
日本サムスン
メモリモジュール 512Kx36-bit QDRTM SRAM K7Q163664B 量産体制 165FBGA 18Mbit 512kword 36bit 0Cel 70Cel 1.7V 2.5V 2.6V 166MHz 2.5ns
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-WSOP1-1217F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-WSOP1-1217F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-TSOP1-1220F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-TSOP1-1220F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-WSOP1-1217F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-WSOP1-1217F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-TSOP1-1220F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール 128M x 8 Bits NAND Flash Memory K9T1G08U0M 量産体制 48-TSOP1-1220F 表面実装 1024Mbit 128Mword 8bit 2.7V 3.3V 3.6V 15micros
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 133MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 100MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 133MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 133MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 100MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 128Mb F-die (x8) 1,700/1,200mil Height and 72-bit ECC M312L1713FTS 量産体制 128Mbit 16Mword 8bit 2.3V 2.7V 133MHz SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 256Mb E-die(x4) with 1,200mil Height AND 72-bit ECC M312L2820EG0 量産体制 60FBGA 1Gbit 64Mword 4bit 2.3V 2.5V 2.7V 133MHz 0.75ns DDR SDRAM
日本サムスン
メモリモジュール DDR SDRAM Registered Module 184pin Registered Module based on 256Mb E-die(x4) with 1,200mil Height AND 72-bit ECC M312L2820EG0 量産体制 60FBGA 1Gbit 64Mword 4bit 2.3V 2.5V 2.7V 133MHz 0.75ns DDR SDRAM