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GaAs FET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間電圧[Max] (V)
飽和ドレイン電流[Min] (A)
飽和ドレイン電流[Typ] (A)
飽和ドレイン電流[Max] (A)
ピンチオフ電圧[Min] (V)
ピンチオフ電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間降伏電圧[Min] (V)
熱抵抗[Typ] (Cel/W)
熱抵抗[Max] (Cel/W)
電力付加効率[Typ] (%)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
三洋半導体

購入する 表示件数:
三洋半導体
GaAs FET C to Xバンド局部発振/増幅回路 廃止品 CP4 -5m 表面実装 45mV 34mA -5V 200mCel/W -55Cel/W 150%
三洋半導体
GaAs FET UHFアンプ、ミキサ用GaAaデュアルゲートMES FET 廃止品 CP4 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 13V 8.5mA 40mA -3.5V
三洋半導体
GaAs FET C to Kuバンド局部発振/増幅回路 廃止品 CP4 表面実装 6V 30mA 45mA 65mA -5V