MOSFET (0)
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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
チャネル型
適用中のフィルタ
メーカ名 =
三洋半導体

購入する 表示件数:
三洋半導体
接合型FET 汎用スイッチングデバイス 量産体制 CPH3 2.9mm 1.6mm 0.9mm 表面実装 150Cel 1
三洋半導体
接合型FET PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタ高速スイッチング用 量産体制 NP 150Cel
三洋半導体
接合型FET 低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET コンデンサマイク用Nチャネル接合型電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波増幅用、低周波増幅用、アナログ・スイッチ用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 NP 5mm 4mm 5mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 MCP 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET FMチューナ用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SMCP 1.6mm 0.8mm 0.75mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 低周波低雑音増幅用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 NP 5mm 4mm 5mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
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接合型FET 高周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル
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接合型FET 高周波増幅、アナログスイッチ用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 低周波増幅用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET FMチューナ用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 SPA 4mm 2.2mm 3mm 基板挿入 1 Nチャネル
三洋半導体
接合型FET 高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 量産体制 CP 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 1 Nチャネル