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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータTR:PNPエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用TR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード複合 |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用TR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード複合 |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータTR:NPNエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用TR:PNPエピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
汎用スイッチングデバイスMOSFET:NチャネルMOS型シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS型シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS型シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
DC/DCコンバータ用MOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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三洋半導体
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複合ディスクリートデバイス |
汎用スイッチングデバイスMOSFET:PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタSBD:ショットキバリアダイオード |
量産体制
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CPH5 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
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