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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
STマイクロエレクトロニクス

購入する 表示件数:
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET RF power transistor from the LdmoST plastic family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFET 量産体制 PowerSO-10RF (formed lead) 9.4mm 7.5mm 3.5mm 表面実装 2 - 165Cel 1 Nチャネル 2.5A 31.7W 2V 5V 40V 1microA 0.75Ohm 10V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET RF power transistor from the LdmoST plastic family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 量産体制 PowerSO-10RF (formed lead) 9.4mm 7.5mm 3.5mm 表面実装 2 - 1 Nチャネル 5A 73W 40V 1microA
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET: 20 A, 1200 V, 189 mohm (typ., TJ=150 degC), N-channel in a HiP247 量産体制 Hip247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 200Cel 1 Nチャネル 16A 175W 2V 1200V 100microA 169mOhm 239mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700V, 6 mohm typ,43A in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 ○ 200Cel 1 Nチャネル 43A 313W 1.8V 1700V 10microA 64mOhm 86mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mohm (typ., TJ = 150 degC) in an HiP247 package 量産体制 Hip247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 200Cel 1 Nチャネル 40A 270W 1.8V 1200V 25microA 80mOhm 100mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 OHM (typ, TJ=150) in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 1 Nチャネル 65A 318W 1.8V 3V 1200V 100microA 52mOhm 69mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mohm typ., 95 A in an H2PAK-7 package 量産体制 H2PAK-7 10.2mm 4.55mm 表面実装 1.17mm 1.27mm 1.37mm 7 ○ 175Cel 1 セパレート Nチャネル 95A 360W 1.9V 5V 650V 10microA 20mOhm 26mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 65 m ohm (typ., TJ = 175 Cel) in an H2PAK-7 package 量産体制 H2PAK-7 10.2mm 4.55mm 表面実装 1.17mm 1.27mm 1.37mm 7 - 175Cel 1 Nチャネル 45A 208W 1.8V 60V 50microA 55mOhm 18V 45mOhm 67mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 18 m ohm (typ., TJ = 25 Cel) in an H2PAK-7 package 量産体制 H2PAK-7 10.2mm 4.55mm 表面実装 1.17mm 1.27mm 1.37mm 7 - 175Cel 1 Nチャネル 90A 330W 1.9V 5V 10microA 18mOhm 26mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mohm typ., 100 A in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 ○ 200Cel 1 セパレート Nチャネル 100A 420W 1.9V 5V 650V 10microA 20mOhm 26mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mohm typ., 45 A in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 200Cel 1 セパレート Nチャネル 45A 240W 1.8V 5V 650V 5microA 55mOhm 18V 45mOhm 67mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mOhm (typ., TJ = 25 degC) in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 ○ 200Cel 1 セパレート Nチャネル 52A 388W 1.9V 5V 1200V 10microA 45mOhm 58mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 91 A, 21 mOhm (typ., TJ = 25 degC) in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 200Cel 1 セパレート Nチャネル 91A 547W 1.9V 4.9V 1200V 10microA 21mOhm 30mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25Cel) in an HiP247 package 量産体制 HiP247 15.6mm 5mm 20mm 基板挿入 5.3mm 5.45mm 5.6mm 3 - 1 Nチャネル 119A 565W 1.9V 5V 650V 10microA 18mOhm 24mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mohm (typ., TJ = 25 degC) in an HiP247 long leads package 量産体制 HiP247 long leads 15.8mm 5mm 21mm 基板挿入 5.34mm 5.44mm 5.54mm 3 ○ 200Cel 1 セパレート Nチャネル 45A 240W 1.8V 5V 650V 50microA 55mOhm 18V 45mOhm 67mOhm 20V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mohm typ., 52 A in an HiP247 long leads package 量産体制 HiP247 long leads 15.8mm 5mm 21mm 基板挿入 5.34mm 5.44mm 5.54mm 3 ○ 200Cel 1 セパレート Nチャネル 52A 388W 1.9V 5V 1200V 10microA 45mOhm 58mOhm 18V
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET RF power transistor:HF/VHF/UHF N-channel power MOSFET 量産体制 M174 24.765mm 6.35mm 表面実装 4 - 200Cel Nチャネル 20A 389W 125V 50microA
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET 量産体制 M177 28.83mm 6.845mm 表面実装 4 - 200Cel 1 Nチャネル 40A 648W 2V 4V 130V 200microA
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET 量産体制 M177 28.83mm 6.845mm 表面実装 4 - 200Cel 1 Nチャネル 40A 648W 2.5V 3.75V 200V 2mA
STマイクロエレクトロニクス
MOSFET RF POWER TRANSISTORS 量産体制 M243 20.32mm 5.845mm 3.815mm 表面実装 2 - 200Cel 1 Nチャネル 5A 93W 2.5V 5V 65V 1microA