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IGBT

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
素子数[Nom]
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Typ] (A)
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Min] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Typ] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] (V)
入力容量[Typ] (F)
チャネル型
適用中のフィルタ
メーカ名 =
STマイクロエレクトロニクス

購入する 表示件数:
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.5V 1.95V 10A 115W 600V 5V 6V 7V 1300pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D2PAK package STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.55V 2V 10A 115W 650V 5V 6V 7V 840pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Automotive-grade 10 A, 410 V internally clamped IGBT STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 ○ 1 1.2V 1.8V 10A 150W 440V 0.6V 2.2V 1300pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 16 A, 600 V, low drop IGBT STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.35V 1.75V 16A 80W 600V 0.46micros 2.5V 5V 610pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 600 V - 10 A - very fast IGBT STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.9V 2.5V 10A 65W 600V 5ns 3.75V 5.75V 365pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT STGB10シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 3 - 1 2.2V 2.5V 10A 65W 600V 4.5V 6.5V 380pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート N-CHANNEL 18A-600V D^2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT 量産体制 D^2PAK 表面実装 2.2V 2.8V 18A 125W
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 14 A, 600 V short-circuit rugged IGBT STGB14シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 3 - 1 2.1V 2.5V 14A 80W 600V 4.5V 6.5V 760pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート N-channel 14 A - 600 V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH IGBT STGB14シリーズ 量産体制 D2PAK 表面実装 2.44mm 2.64mm 3 - 1 2V 2.5V 14A 80W 600V 4.5V 6.5V 760pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed STGB15シリーズ 量産体制 D2PAK 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.6V 2V 15A 115W 600V 5V 6V 7V 1952pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low-loss in a D2PAK package STGB15シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.55V 2V 15A 136W 650V 5V 6V 7V 1250pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ STGB18シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 ○ 1 1.35V 1.7V 30A 150W 420V 0.7V 2.3V 490pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode STGB19シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.8V 2.5V 19A 130W 600V 3.75V 5.75V 1180pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT STGB19シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 3 - 1 2V 2.75V 20A 125W 600V 8ns 4.5V 6.5V 1170pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT STGB20シリーズ 量産体制 D2PAK 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.6V 2V 20A 167W 600V 5V 6V 7V 2750pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 20 A low loss STGB20シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 - 1 1.55V 2V 20A 166W 650V 5V 6V 7V 1688pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ STGB20シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 ○ 1 1.5V 1.8V 25A 150W 425V 0.85V 2.5V 910pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ STGB20シリーズ 量産体制 D2PAK/TO-263 表面実装 2.54mm 3 ○ 1 1.25V 1.55V 25A 150W 475V 1.3V 1.7V 2.1V 1011pF Nチャネル
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート N-CHANNEL CLAMPED 20A-I^2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT 量産体制 I^2PAK 1.35V 2V 40A 150W 2V
STマイクロエレクトロニクス
IGBTディスクリート N-CHANNEL CLAMPED 20A-D^2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT 量産体制 D^2PAK 表面実装 1.35V 2V 40A 150W 2V