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フラッシュメモリ

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IC > メモリ > フラッシュメモリ (335)
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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
読み出しサイクル時間[Min] (s)
書込みサイクル時間[Min] (s)
消費電力（動作時）[Max] (W)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
ブロック消去時間[Typ] (s)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit 0Cel 70Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit 0Cel 70Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit 0Cel 70Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 1073741824bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 2147483648bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ BENAND (Built-in ECC SLCNAND) 量産体制 4294967296bit -40Cel 85Cel 25ns 1.7V 1.8V 1.95V 3.5ms
東芝
フラッシュメモリ NAND型フラッシュメモリ SLC 量産体制 1073741824bit 8bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms
東芝
フラッシュメモリ NAND型フラッシュメモリ SLC 量産体制 1073741824bit 8bit -40Cel 85Cel 25ns 2.7V 3.3V 3.6V 2.5ms