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GaAs FET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ゲート・ソース間電圧[Max] (V)
飽和ドレイン電流[Min] (A)
飽和ドレイン電流[Typ] (A)
飽和ドレイン電流[Max] (A)
相互コンダクタンス[Typ] (S)
ピンチオフ電圧[Typ] (V)
ピンチオフ電圧[Max] (V)
1dB利得圧縮時利得[Min] (dB)
1dB利得圧縮時利得[Typ] (dB)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
GaAs FET GaAsNチャネルシングルゲート変調ドープ形トランジスタ 廃止品 2-2K1C 2mm 1.25mm 表面実装 15mA 40mA 80mA -0.8V -2V 18dB 21.5dB
東芝
GaAs FET GaAsNチャネルシングルゲート変調ドープ形トランジスタ 廃止品 2-2K1C 2mm 1.25mm 表面実装 40mA 55mA 80mA -0.8V -2V 17dB 19.5dB
東芝
GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 廃止品 2-4F1A 基板挿入 10V 20mA 45mA -2.5V -4V
東芝
GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 廃止品 2-3J1A 2.9mm 1.5mm 1.05mm 表面実装 10V 20mA 45mA -2.5V -4V
東芝
GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-3J1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装
東芝
GaAs FET ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-2K1B 2mm 1.25mm 0.95m 表面実装
東芝
GaAs FET GaAs NチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ 保守品 2-2K1B 2mm 1.25mm 0.95m 表面実装