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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 0 1 -150mA 200mW 200 400 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 200 400 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 200 400 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 0 1 -150mA 200mW 70 140 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 70 140 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 70 140 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 0 1 -150mA 200mW 120 240 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 120 240 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形バイポーラートランジスター 量産体制 S-Mini/2-3F1S 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 120 240 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 200 400 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 70 140 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 0 1 -150mA 150mW 120 240 -0.1V -0.3V -100mA -50V PNP 1dB 10dB
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汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -100mA 150mW 350 700 -0.3V -10mA -120V PNP 1dB 10dB
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 150Cel 1 0 1 -100mA 200mW 350 700 -0.3V -10mA -120V PNP 1dB 10dB
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汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -100mA 150mW 200 400 -0.3V -10mA -120V PNP 1dB 10dB
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汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 150Cel 1 0 1 -100mA 200mW 200 400 -0.3V -10mA -120V PNP 1dB 10dB
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汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -500mA 150mW 70 400 -0.1V -0.25V -100mA -30V PNP
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 150Cel 1 0 1 -500mA 200mW 70 400 -0.1V -0.25V -100mA -30V PNP
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 125Cel 1 0 1 -500mA 150mW 25 140 -0.1V -0.25V -100mA -30V PNP
東芝
汎用バイポーラトランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式) 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1A 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 150Cel 1 0 1 -500mA 200mW 25 140 -0.1V -0.25V -100mA -30V PNP