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MOSFET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Max] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗4[Max] (Ohm)
駆動電圧4[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
MOSFET シリコンPチャネルMOS形トランジスタ 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1F 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -0.2A 200mW -2V -3.5V -60V -10microA 1.3Ohm 2Ohm -10V
東芝
MOSFET シリコンPチャネルMOS形トランジスタ 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1F 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Pチャネル -0.2A 200mW -0.5V -1.5V -30V -10microA 2.4Ohm 4Ohm -2.5V
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコン Pチャネル MOS形 (L2-pi -MOSV ) 新規設計非推奨 SC-62/2-5K1B 2.5mm 表面実装 1.4mm 1.5mm 1.6mm 3 - 150Cel 1 セパレート Pチャネル -1A 0.5W -0.8V -2V -60V -100microA 0.55Ohm 0.73Ohm -10V 0.86Ohm 1.2Ohm -4V
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコン Pチャネル MOS形 (L2-pi -MOSV ) 新規設計非推奨 2-7J1B 6.5mm 5.5mm 2.3mm 表面実装 2.15mm 2.3mm 2.45mm 3 - 150Cel 1 セパレート Pチャネル -5A 20W -0.8V -2V -60V -100microA 0.16Ohm 0.19Ohm -10V 0.24Ohm 0.28Ohm -4V
東芝
MOSFET シリコンNチャネルMOS形トランジスタ 新規設計非推奨 SC-59/2-3F1F 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.2A 200mW 2V 3.5V 60V 10microA 0.6Ohm 1Ohm 10V
東芝
MOSFET シリコンNチャネルMOS形トランジスタ 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1F 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.2A 200mW 0.5V 1.5V 30V 10microA 1.2Ohm 2Ohm 2.5V
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 100mW 0.4V 5V 2.6mA 6.5mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 100mW 0.4V 5V 0.6mA 1.4mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 100mW 0.4V 5V 0.3mA 0.75mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236MOD/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 100mW 0.4V 5V 1.2mA 3mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 150mW 0.2V 1.5V 6mA 14mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 150mW 0.2V 1.5V 2.6mA 6.5mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 TO-236/SC-59/2-3F1B 2.9mm 1.5mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 3 - 125Cel 1 Nチャネル 150mW 0.2V 1.5V 1.2mA 3mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 SOT-25/SC-74A/2-3L1C 2.9mm 1.6mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 5 - 125Cel 2 ソースコモン Nチャネル 300mW 0.2V 1.5V 6mA 14mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 SOT-25/SC-74A/2-3L1C 2.9mm 1.6mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 5 - 125Cel 2 ソースコモン Nチャネル 300mW 0.2V 1.5V 2.6mA 6.5mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 量産体制 SOT-25/SC-74A/2-3L1C 2.9mm 1.6mm 1.1mm 表面実装 0.95mm 5 - 125Cel 2 ソースコモン Nチャネル 300mW 0.2V 1.5V 1.2mA 3mA
東芝
MOSFET 東芝電界効果トランジスタ シリコン Pチャネル MOS形 (L2-pi -MOSV ) 新規設計非推奨 2-7J1B 6.5mm 5.5mm 2.3mm 表面実装 2.15mm 2.3mm 2.45mm 3 - 150Cel 1 セパレート Nチャネル 5A 20W 0.8V 2V 60V 100microA 0.12Ohm 0.16Ohm 10V 0.2Ohm 0.3Ohm 4V
東芝
MOSFET シリコンNチャネルMOS形トランジスタ (L2-pi-MOSV) 量産体制 SC-65/2-16C1B 20mm 基板挿入 5.25mm 5.45mm 5.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 60A 150W 0.8V 2V 60V 100microA 8mOhm 11mOhm 10V 12mOhm 15mOhm 4V
東芝
MOSFET シリコンNチャネルMOS形トランジスタ 量産体制 2-5K1D/SC-62 2.5mm 表面実装 1.4mm 1.5mm 1.6mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.5A 0.5W 1V 1.8V 10V 100nA
東芝
MOSFET シリコンNチャネルMOS形トランジスタ 量産体制 2-5K1D/SC-62 2.5mm 表面実装 1.4mm 1.5mm 1.6mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 1A 3W 1.4V 2.4V 30V 10microA