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IGBT

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
素子数[Nom]
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Min] (V)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] (V)
入力容量[Typ] (F)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
IGBTディスクリート ストロボフラッシュ用IGBT 生産中止予定 SOP-8ASE　 / 2-5R1S / SOIC-8 1 2.3V 1.9W 400V 2.8micros
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ 生産中止予定 2-16C1C 20mm 1 2.1V 2.7V 10A 140W 1200V 0.07micros
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ 生産中止予定 2-16C1C 20mm 1 2.1V 2.7V 10A 140W 1200V 0.07micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 量産体制 TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 1.5V 2V 8A 30W 600V 0.03micros 1390pF
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ 生産中止予定 2-16C1C 20mm 1 2.1V 2.7V 15A 170W 1200V 0.05micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 量産体制 TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 1.25V 1.80V 20A 40W 600V 0.10micros 2700pF
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ 生産中止予定 2-16C1C 20mm 1 2.1V 2.7V 20A 130W 600V 0.12micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 量産体制 TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 1.5V 2V 11A 45W 600V 0.04micros 1790pF
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBTトランジスタ 生産中止予定 2-21F1C 26mm 1 2.1V 2.7V 25A 200W 1200V 0.1micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 生産中止予定 TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 2.6V 3.2V 18W 330V 180ns 795pF
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 新規設計非推奨 DPAK(ASE) / 2-7N1A 6.35mm 5.97mm 2.18mm 表面実装 2.3V 2.9V 60W 330V 180ns 860pF
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT 量産体制 TO-3P(N) / 2-16C119A 15.5mm 20mm 4.5mm 基板挿入 1 2V 2.45V 30A 170W 600V 0.07micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT 新規設計非推奨 TO3P(N)IS / 2-16F1S 15.8mm 5mm 21mm 1 2.1V 2.8V 30A 75W 600V 0.2micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 量産体制 TO3P(N) / 2-16C1S / SC-65 1.7V 2.8V 30A 120W 600V 0.2micros 2500pF
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT 新規設計非推奨 TO3P(N)IS / 2-16F1S 15.8mm 5mm 21mm 1 1.95V 2.45V 30A 90W 600V 0.07micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 新規設計非推奨 TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 2.6V 3.1V 25W 600V 80ns 1245pF
東芝
IGBTディスクリート シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ 生産中止予定 2-16C1C 20mm 1 2.1V 2.7V 30A 155W 600V 0.12micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT 新規設計非推奨 TO3P(N)IS / 2-16F1S 15.8mm 5mm 21mm 1 2.1V 2.8V 30A 75W 600V 0.2micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT 新規設計非推奨 TO-3P(N) / 2-16C119A 15.5mm 20mm 4.5mm 基板挿入 1 2V 2.45V 30A 170W 600V 0.07micros
東芝
IGBTディスクリート ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT 量産体制 TO3P(N) / 2-16C1S / SC-65 1.5V 2V 33A 230W 600V 0.06micros 2900pF