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東芝
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IGBTディスクリート |
ストロボフラッシュ用IGBT |
生産中止予定
|
SOP-8ASE / 2-5R1S / SOIC-8 |
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1 |
2.3V |
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|
1.9W |
400V |
2.8micros |
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東芝
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IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ |
生産中止予定
|
2-16C1C |
|
|
20mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
10A |
140W |
1200V |
0.07micros |
|
|
|
東芝
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|
IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ |
生産中止予定
|
2-16C1C |
|
|
20mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
10A |
140W |
1200V |
0.07micros |
|
|
|
東芝
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|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
量産体制
|
TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 |
|
|
|
|
|
1.5V |
2V |
8A |
30W |
600V |
0.03micros |
1390pF |
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ |
生産中止予定
|
2-16C1C |
|
|
20mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
15A |
170W |
1200V |
0.05micros |
|
|
|
東芝
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|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
量産体制
|
TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 |
|
|
|
|
|
1.25V |
1.80V |
20A |
40W |
600V |
0.10micros |
2700pF |
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ |
生産中止予定
|
2-16C1C |
|
|
20mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
20A |
130W |
600V |
0.12micros |
|
|
|
東芝
|
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|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
量産体制
|
TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 |
|
|
|
|
|
1.5V |
2V |
11A |
45W |
600V |
0.04micros |
1790pF |
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|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBTトランジスタ |
生産中止予定
|
2-21F1C |
|
|
26mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
25A |
200W |
1200V |
0.1micros |
|
|
|
東芝
|
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|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
生産中止予定
|
TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 |
|
|
|
|
|
2.6V |
3.2V |
|
18W |
330V |
180ns |
795pF |
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
新規設計非推奨
|
DPAK(ASE) / 2-7N1A |
6.35mm |
5.97mm |
2.18mm |
表面実装
|
|
2.3V |
2.9V |
|
60W |
330V |
180ns |
860pF |
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT |
量産体制
|
TO-3P(N) / 2-16C119A |
15.5mm |
20mm |
4.5mm |
基板挿入
|
1 |
2V |
2.45V |
30A |
170W |
600V |
0.07micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT |
新規設計非推奨
|
TO3P(N)IS / 2-16F1S |
15.8mm |
5mm |
21mm |
|
1 |
2.1V |
2.8V |
30A |
75W |
600V |
0.2micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
量産体制
|
TO3P(N) / 2-16C1S / SC-65 |
|
|
|
|
|
1.7V |
2.8V |
30A |
120W |
600V |
0.2micros |
2500pF |
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT |
新規設計非推奨
|
TO3P(N)IS / 2-16F1S |
15.8mm |
5mm |
21mm |
|
1 |
1.95V |
2.45V |
30A |
90W |
600V |
0.07micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
新規設計非推奨
|
TO220SIS / 2-10U1S / SC-67 |
|
|
|
|
|
2.6V |
3.1V |
|
25W |
600V |
80ns |
1245pF |
|
|
東芝
|
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|
IGBTディスクリート |
シリコンNチャネルIGBT伝導度変調型電界効果トランジスタ |
生産中止予定
|
2-16C1C |
|
|
20mm |
|
1 |
2.1V |
2.7V |
30A |
155W |
600V |
0.12micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT |
新規設計非推奨
|
TO3P(N)IS / 2-16F1S |
15.8mm |
5mm |
21mm |
|
1 |
2.1V |
2.8V |
30A |
75W |
600V |
0.2micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT |
新規設計非推奨
|
TO-3P(N) / 2-16C119A |
15.5mm |
20mm |
4.5mm |
基板挿入
|
1 |
2V |
2.45V |
30A |
170W |
600V |
0.07micros |
|
|
|
東芝
|
|
|
IGBTディスクリート |
ディスクリートIGBT シリコンNチャネルIGBT |
量産体制
|
TO3P(N) / 2-16C1S / SC-65 |
|
|
|
|
|
1.5V |
2V |
33A |
230W |
600V |
0.06micros |
2900pF |