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抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
直流電流増幅率[Min]
直流電流増幅率[Max]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
入力抵抗[Min] (Ohm)
入力抵抗[Nom] (Ohm)
入力抵抗[Max] (Ohm)
抵抗比率(R1/R2)[Min]
抵抗比率(R1/R2)[Nom]
抵抗比率(R1/R2)[Max]
ベース・エミッタ間抵抗[Min] (Ohm)
ベース・エミッタ間抵抗[Nom] (Ohm)
ベース・エミッタ間抵抗[Max] (Ohm)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
東芝

購入する 表示件数:
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵) 量産体制 2-2H1A 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 6.11kOhm 0.9 1 1.1 4.7kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.9 1 1.1 3.656kOhm 4.7kOhm 5.555kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.9 1 1.1 3.656kOhm 4.7kOhm 5.555kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.9 1 1.1 3.656kOhm 4.7kOhm 5.555kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ (PCT方式)(バイアス抵抗内蔵) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 6.11kOhm 0.8 1 1.2 4.7kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.8 1 1.2 4.113kOhm 4.7kOhm 5.092kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.8 1 1.2 4.113kOhm 4.7kOhm 5.092kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 30 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 3.29kOhm 4.7kOhm 6.11kOhm 0.8 1 1.2 4.113kOhm 4.7kOhm 5.092kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式)(バイアス抵抗内蔵) 量産体制 2-2H1A 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.9 1 1.1 7.77kOhm 10kOhm 11.8kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.9 1 1.1 7.778kOhm 10kOhm 11.818kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.9 1 1.1 7.778kOhm 10kOhm 11.818kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.9 1 1.1 7.778kOhm 10kOhm 11.818kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式)(バイアス抵抗内蔵) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.8 1 1.2 8.75kOhm 10kOhm 10.8kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.8 1 1.2 8.75kOhm 10kOhm 10.833kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.8 1 1.2 8.75kOhm 10kOhm 10.833kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 VESM/1-1Q1S 1.2mm 0.8mm 0.5mm 表面実装 0.4mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 150mW 50 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 7kOhm 10kOhm 13kOhm 0.8 1 1.2 8.75kOhm 10kOhm 10.833kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ(PCT方式)(バイアス抵抗内蔵) 量産体制 2-2H1A 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 70 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 15.4kOhm 22kOhm 28.6kOhm 0.9 1 1.1 17.1kOhm 22kOhm 26kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 70 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 15.4kOhm 22kOhm 28.6kOhm 0.9 1 1.1 17.111kOhm 22kOhm 26kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 70 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 15.4kOhm 22kOhm 28.6kOhm 0.9 1 1.1 17.111kOhm 22kOhm 26kOhm
東芝
抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) 量産体制 SSM/2-2H1S 1.6mm 0.8mm 0.7mm 表面実装 0.5mm 3 ○ 150Cel 1 1 0 100mA 100mW 70 0.1V 0.3V 5mA 50V NPN 15.4kOhm 22kOhm 28.6kOhm 0.9 1 1.1 17.111kOhm 22kOhm 26kOhm