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バイポーラトランジスタ

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ディスクリート > トランジスタ > バイポーラトランジスタ (8)
    汎用バイポーラトランジスタ (8)
    抵抗内蔵汎用バイポーラトランジスタ (0)
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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
NPN素子数[Nom]
PNP素子数[Nom]
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧1[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧2[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧3[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧3[Max] (V)
コレクタ・エミッタ間電圧[Max] (V)
極性
適用中のフィルタ
メーカ名 =
テキサス・インスツルメンツ

購入する 表示件数:
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ200xA-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Arrays 量産体制 SOIC 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 500mA 190mW 1.2V 1.8V 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.2V 100mA 1V 1.4V 200mA 1.2V 1.7V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.2V 100mA 1V 1.4V 200mA 1.2V 1.7V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.2V 100mA 1V 1.4V 200mA 1.2V 1.7V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.2V 100mA 1V 1.4V 200mA 1.2V 1.7V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 TSSOP-16 表面実装 0.65mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.2V 100mA 1V 1.4V 200mA 1.2V 1.7V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.1V 100mA 1V 1.3V 200mA 1.2V 1.6V 350mA 50V NPN
テキサス・インスツルメンツ
汎用バイポーラトランジスタ ULQ2003A-Q1 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Array 量産体制 SOIC-16 表面実装 1.27mm 16 ○ 150Cel 7 7 0 500mA 950mW 0.9V 1.1V 100mA 1V 1.3V 200mA 1.2V 1.6V 350mA 50V NPN