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NEXTY実績
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗3[Max] (Ohm)
駆動電圧3[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
ビシェイ・インターテクノロジー
製品供給状態 =
開発中
生産中止予定
新規設計非推奨
事前準備
量産体制

購入する 表示件数:
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 量産体制 SOT-23/TO-236 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.35W 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 4Ohm 4.5V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 量産体制 SOT-23/TO-236 2.92mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.35W 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 4Ohm 4.5V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET N-Channel 240 V (D-S) MOSFET 量産体制 TO-92-18RM/TO-18 2.92mm 1.3mm 0.95mm 基板挿入 0.89mm 1.205mm 1.52mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.3A 0.8W 0.8V 2V 240V 1microA 2.2Ohm 4Ohm 10V 2.3Ohm 4Ohm 4.5V 2.4Ohm 6Ohm 2.5V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 43W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 43W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 43W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 5.6A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.54Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 9.2A 60W 2V 4V 100V 25microA 0.27Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 9.2A 60W 2V 4V 100V 25microA 0.27Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 9.2A 60W 2V 4V 100V 25microA 0.27Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 9.2A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.27Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 88W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 88W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 88W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 14A 3.7W 2V 4V 100V 25microA 0.16Ohm 10V
ビシェイ・インターテクノロジー
MOSFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.24mm 4.445mm 15.09mm 基板挿入 2.41mm 2.54mm 2.67mm 3 - 175Cel 1 Nチャネル 28A 150W 2V 4V 100V 25microA 0.077Ohm 10V