IC > メモリ (9)
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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット)[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
ウィンボンド・エレクトロニクス

購入する 表示件数:
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 64 Mb Async./Burst/Sync./A/D MUX W956D6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 64Mbit 4Mword 16bit
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 64 Mb Async./Burst/Sync./A/D MUX W956D6KBKXシリーズ 量産体制 WFBGA-49 表面実装 0.5mm 49 - 64Mbit 4Mword 16bit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 32 Mb Async./Burst/Sync./A/D MUX W956K6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 32Mbit 2Mword 16bit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 128 Mb Async./Burst/Sync./A/D MUX W957D6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 256 Mb Async./Burst/Sync./A/D MUX W958D6DBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 256Mbit 16Mword 16bit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 64 Mb Async./Page, Syn./Burst CellularRAM W966D6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 64Mbit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 32 Mb Async./Page,Syn./Burst CellularRAM W966K6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 32Mbit 2Mword 16bit
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 128 Mb Async./Page, Syn./Burst CellularRAM W967D6HBシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 128Mbit 8Mword 16bit -40Cel 85Cel
ウィンボンド・エレクトロニクス
SRAM 256 Mb Async./Page, Syn./Burst CellularRAM W968D6DAシリーズ 量産体制 VFBGA-54 表面実装 0.75mm 54 - 256Mbit 16Mword 16bit -40Cel 85Cel