Home » ディスクリート » トランジスタ » FET » MOSFET

MOSFET

使い方動画
会員専用

NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
NEXTYサポートを優先する・・・ユーザ様が所属している会社に対して商圏があるメーカが検索結果の上位に表示されます
　　　　　　　　　　　　　　 　NEXTYサポートがある部品については部品の技術的な問い合わせが可能となります

NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
ドレイン電流(DC)[Max] (A)
許容損失[Max] (W)
ゲートしきい値電圧[Min] (V)
ゲートしきい値電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電圧[Max] (V)
ドレイン・ソース間電流[Min] (A)
ドレイン・ソース間電流[Max] (A)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] (Ohm)
駆動電圧@10V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@4.5Vor4V[Max] (Ohm)
駆動電圧@4.5Vor4V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗@2.5V[Max] (Ohm)
駆動電圧@2.5V[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗1[Max] (Ohm)
駆動電圧1[Typ] (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Typ] (Ohm)
ドレイン・ソース間オン抵抗2[Max] (Ohm)
駆動電圧2[Typ] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
フェアチャイルドセミコンダクター

購入する 表示件数:
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92 + Forming 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 200mA 400mW 0.8V 3V 60V 1microA 1.2Ohm 5Ohm 10V 1.8Ohm 5.3Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 7.5Ohm 10V 1.7Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SC-70-6 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 115mA 200mW 1V 2V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 300mA 350mW 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 4Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.45mm 0.5mm 0.55mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 310mA 300mW 1.1V 2.1V 60V 1microA 1.6Ohm 10V 2Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 0.8V 2.5V 60V 0.024microA 1microA 3.35Ohm 7.5Ohm 10V 2.68Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-523F 3L 1.6mm 0.88mm 0.68mm 表面実装 0.5mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-563F-6 1.6mm 1.2mm 0.55mm 表面実装 0.5mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 280mA 250mW 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-563F-6 1.6mm 1.2mm 0.55mm 表面実装 0.5mm 6 - 150Cel 2 セパレート Nチャネル 280mA 250mW 1V 2.5V 60V 1microA 2Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 115mA 200mW 1V 2V 60V 1microA 2.53Ohm 13.5Ohm 10V 1.6Ohm 7.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92 + Forming 4.76mm 3.62mm 4.825mm 基板挿入 1.27mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 500mA 830mW 0.8V 3V 60V 0.5microA 1.2Ohm 5Ohm 10V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 TO-92(97) + Forming 4.51mm 3.54mm 4.51mm 基板挿入 1.14mm 1.27mm 1.4mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 400mA 625mW 1V 2.5V 60V 1microA 1.2Ohm 2Ohm 10V 1.8Ohm 3Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.17A 0.36W 0.8V 2V 100V 10nA 1.2Ohm 6Ohm 10V 1.3Ohm 10Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.17A 0.36W 0.8V 2V 100V 10nA 2.98Ohm 6Ohm 10V 3.17Ohm 10Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.17A 200mW 0.8V 2V 100V 10nA 1.39Ohm 6Ohm 10V 1.48Ohm 10Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.22A 0.36W 0.8V 1.5V 50V 100nA 0.7Ohm 3.5Ohm 10V 1Ohm 6Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.22A 350mW 0.6V 1.2V 50V 0.1microA 2Ohm 2.5V 2.5Ohm 1.8V 1.6Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.2A 0.35W 0.8V 1.5V 50V 100nA 3.78Ohm 10Ohm 2.75V 2.78Ohm 3.5Ohm 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-323 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.21A 340mW 0.8V 1.5V 50V 100nA 1.17Ohm 3.5Ohm 10V 1.36Ohm 6Ohm 4.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 量産体制 SOT-23 3L 2.92mm 1.3mm 0.93mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル 0.22A 0.36W 0.8V 1.5V 50V 100nA 0.7Ohm 3.5Ohm 10V 1Ohm 6Ohm 4.5V