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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
実装方法
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Typ] (A)
ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] (V)
ゲート・エミッタ間電圧[Max] (V)
コレクタ電流(DC)[Max] (A)
コレクタ損失[Max] (W)
コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] (A)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] (V)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
フェアチャイルドセミコンダクター

購入する 表示件数:
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート IGBT 量産体制 TO-3P 基板挿入 2.4V 3.2V 24A 80W 7.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート IGBT 量産体制 TO-3P 基板挿入 2.5V 3.2V 40A 125W 7.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート IGBT 量産体制 TO-3P 基板挿入 2.5V 3.2V 40A 125W 7.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート IGBT 量産体制 TO-3P 基板挿入 2.3V 3V 40A 64W 6.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート IGBT 量産体制 TO-3P 基板挿入 1.6V 1.8V 100A 96W 7.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート Ultrafast IGBT 量産体制 TO-3PF 基板挿入 2.3V 3V 40A 40W 6.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート Ultrafast IGBT 量産体制 TO-3PF 基板挿入 2.3V 3V 40A 40W 6.5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 量産体制 TO-263AB 表面実装 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 量産体制 TO-263AB 表面実装 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 2V 2.5V 45A 167W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 量産体制 TO-263AB 表面実装 1.95V 2.5V 45A 167W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 2V 2.5V 45A 167W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 1.9V 2.7V 75A 290W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-263AB 表面実装 1.9V 2.7V 75A 290W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-247 基板挿入 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 量産体制 TO-247 基板挿入 2.2V 2.7V 28A 125W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT 量産体制 TO-247 基板挿入 2V 2.5V 45A 167W 5V
フェアチャイルドセミコンダクター
IGBTディスクリート 600V,SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 量産体制 TO-247 基板挿入 1.95V 2.5V 45A 167W 5V