|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
10.6mm |
4.8mm |
15.5mm |
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-7A |
1.5W |
100 |
200 |
|
-0.6V |
-5A |
-100V |
PNP |
|
2micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
10.6mm |
4.8mm |
15.5mm |
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-7A |
1.5W |
60 |
120 |
|
-0.6V |
-5A |
-100V |
PNP |
|
2micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
10.6mm |
4.8mm |
15.5mm |
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-7A |
1.5W |
40 |
80 |
|
-0.6V |
-5A |
-100V |
PNP |
|
2micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220SMD/MP-25Z |
10mm |
8.5mm |
|
表面実装
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
100 |
200 |
|
-0.6V |
-3A |
-80V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220SMD/MP-25Z |
10mm |
8.5mm |
|
表面実装
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
60 |
120 |
|
-0.6V |
-3A |
-80V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220SMD/MP-25Z |
10mm |
8.5mm |
|
表面実装
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
40 |
80 |
|
-0.6V |
-3A |
-80V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220AB/MP-25 |
10.6mm |
|
|
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
100 |
200 |
|
-0.6V |
-3A |
-60V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220AB/MP-25 |
10.6mm |
|
|
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
60 |
120 |
|
-0.6V |
-3A |
-60V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
量産体制
|
TO-220AB/MP-25 |
10.6mm |
|
|
基板挿入
|
|
2.54mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1.5W |
40 |
80 |
|
-0.6V |
-3A |
-60V |
PNP |
|
3micros |
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタ |
生産中止予定
|
SC-59A/PLSP0003ZB-A/MPAK(T)/MPAK(T)V |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
100 |
200 |
-0.2V |
-0.6V |
-150mA |
-35V |
PNP |
|
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタ |
生産中止予定
|
SC-59A/PLSP0003ZB-A/MPAK(T)/MPAK(T)V |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
100 |
200 |
-0.2V |
-0.6V |
-150mA |
-35V |
PNP |
|
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタ |
生産中止予定
|
SC-59A/PLSP0003ZB-A/MPAK(T)/MPAK(T)V |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
160 |
320 |
-0.2V |
-0.6V |
-150mA |
-35V |
PNP |
|
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタ |
生産中止予定
|
SC-59A/PLSP0003ZB-A/MPAK(T)/MPAK(T)V |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-500mA |
150mW |
160 |
320 |
-0.2V |
-0.6V |
-150mA |
-35V |
PNP |
|
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER, MINI MOLD, PNP SILICON EPITAXAL TRANSISTOR |
新規設計非推奨
|
|
2.9mm |
1.5mm |
|
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-30mA |
200mW |
40 |
80 |
-0.09V |
-0.3V |
-10mA |
-40V |
PNP |
|
|
3.5dB |
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER, MINI MOLD, PNP SILICON EPITAXAL TRANSISTOR |
新規設計非推奨
|
|
2.9mm |
1.5mm |
|
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-30mA |
200mW |
60 |
120 |
-0.09V |
-0.3V |
-10mA |
-40V |
PNP |
|
|
3.5dB |
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER, MINI MOLD, PNP SILICON EPITAXAL TRANSISTOR |
新規設計非推奨
|
|
2.9mm |
1.5mm |
|
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-30mA |
200mW |
90 |
180 |
-0.09V |
-0.3V |
-10mA |
-40V |
PNP |
|
|
3.5dB |
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
MINI MOLD HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
2.9mm |
1.5mm |
1.2mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
200mW |
90 |
180 |
-0.21V |
-0.3V |
-50mA |
-200V |
PNP |
0.18micros |
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
MINI MOLD HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
2.9mm |
1.5mm |
1.2mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
200mW |
135 |
270 |
-0.21V |
-0.3V |
-50mA |
-200V |
PNP |
0.18micros |
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
MINI MOLD HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
生産中止予定
|
|
2.9mm |
1.5mm |
1.2mm |
表面実装
|
|
0.95mm |
|
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-100mA |
200mW |
200 |
450 |
-0.21V |
-0.3V |
-50mA |
-200V |
PNP |
0.18micros |
|
|
|
|
|
ルネサスエレクトロニクス
|
|
|
汎用バイポーラトランジスタ |
低周波電力増幅,中速度スイッチング用PNPエピタキシアル形シリコン・トランジスタ |
生産中止予定
|
TO-252/MP-3Z |
7mm |
6.5mm |
2.3mm |
表面実装
|
2mm |
2.3mm |
2.6mm |
3 |
- |
150Cel |
1 |
0 |
1 |
-5A |
1W |
200 |
400 |
-0.18V |
-0.3V |
-2A |
-60V |
PNP |
0.88micros |
3.5micros |
|