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ツェナーダイオード

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NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Typ]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
最大接合部温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
単方向素子数[Nom]
双方向素子数[Nom]
回路構成
ツェナー電圧/ブレークダウン電圧[Min] (V)
ツェナー電圧/ブレークダウン電圧[Max] (V)
許容損失[Max] (W)
動作抵抗[Max] (Ohm)
ツェナー電流(測定条件)[Typ] (A)
サージ逆電力[Typ] (W)
適用中のフィルタ
メーカ名 =
ルネサスエレクトロニクス

購入する 表示件数:
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.5V 9.9V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.5V 9.9V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.7V 10.1V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.7V 10.1V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.9V 10.3V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 9.9V 10.3V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.2V 10.6V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.2V 10.6V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.4V 10.8V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.4V 10.8V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.7V 11.1V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.7V 11.1V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.9V 11.3V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 10.9V 11.3V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.1V 11.6V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.1V 11.6V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.4V 11.9V 500mW 25Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.4V 11.9V 400mW 80Ohm 0.5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンプレ-ナ形ツェナ-ダイオ-ド 定電圧用 HZシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.6V 12.1V 500mW 35Ohm 5mA
ルネサスエレクトロニクス
ツェナーダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形ツェナーダイオード 低電流，低雑音用 HZ-Lシリーズ 新規設計非推奨 DO-35/GRZZ0002ZB-A 4.2mm 2mm 2mm 基板挿入 2 - 175Cel 1 1 0 シングル 11.6V 12.1V 400mW 80Ohm 0.5mA