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FET

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NEXTY実績
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
チャネル温度[Max] (Cel)
素子数[Nom]
構成素子
チャネル型
適用中のフィルタ
メーカ名 =
インフィニオンテクノロジーズ

購入する 表示件数:
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 TO-263AB 2.9mm 1.3mm 0.95mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-363 2mm 1.25mm 表面実装 0.65mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-363 2mm 1.25mm 0.9mm 表面実装 0.65mm 6 ○ 150Cel 2 セパレート Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET OptiMOS Small-Signal-Transistor 量産体制 PG-SOT-23 2.9mm 1.3mm 表面実装 0.95mm 3 - 150Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET, Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET CoolSiC Automotive 1200V SiC Trench MOSFET 1200V G1 Silicon Carbide MOSFET 量産体制 PG-TO247-3-41 15.9mm 5mm 21.1mm 基板挿入 5.44mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.195mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.19mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK-7 10.095mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 1.27mm 7 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET WIDELEAD HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-262 Widelead 10.16mm 4.445mm 基板挿入 3.81mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFETs 量産体制 TO-220AB 10.16mm 4.195mm 15.365mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 TO-262 10.16mm 4.445mm 基板挿入 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル
インフィニオンテクノロジーズ
MOSFET HEXFET Power MOSFET 量産体制 D2PAK/TO-263AB 10.16mm 9.015mm 4.445mm 表面実装 2.54mm 3 ○ 175Cel 1 Nチャネル